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MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

FEATURES • Low Voltage Operation, Low Phase Distortion • Low Noise NF = 1.5 dB TYP. @VCE = 3 V, IC = 7 mA, f = 2 GHz NF = 1.5 dB TYP. @VCE = 1 V, IC = 3 mA, f = 2 GHz • Large Absolute Maximum Collector Current IC = 100 mA • Supercompact Mini Mold Package

NEC

瑞萨

SILICON TRANSISTOR

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更新时间:2026-2-12 9:08:01
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