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Silicon NPN Epitaxial

Features • High gain bandwidth product fT = 9 GHz Typ • High gain, low noise figure PG = 13.0 dB Typ, NF = 1.2 dB Typ at f = 900 MHz Application UHF / VHF wide band amplifier

HitachiHitachi Semiconductor

日立日立公司

Silicon NPN Epitaxial

Features • High gain bandwidth product fT = 9 GHz Typ • High gain, low noise figure PG = 13.0 dB Typ, NF = 1.2 dB Typ at f = 900 MHz Application UHF / VHF wide band amplifier

RENESAS

瑞萨

High Gain Bandwidth Product

DESCRIPTION • High Gain Bandwidth Product fT = 9 GHz TYP. • High gain, low noise figure PG = 13.0 dB TYP., NF = 1.2 dB TYP. @ f = 900 MHz APPLICATIONS • Designed for VHF, UHF wide band amplifier.

ISC

无锡固电

NPN Transistor

文件:611.43 Kbytes Page:6 Pages

YFWDIODE

佑风微

NPN SILICON RF TRANSISTOR

文件:629.45 Kbytes Page:4 Pages

SKTECHNOLGYSHIKE Electronics

时科广东时科微实业有限公司

更新时间:2026-1-1 8:48:01
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日立
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    深圳市科恒伟业电子有限公司 深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼516 网站 http://www.kehengweiyedz.cn 网站http://www.kehengweiye.com 邮箱:yulin522@126.com 0755-83200050 15817287769 柯先生

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