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NPN EPITAXIAL TYPE (STROBE FLASH, MEDIUM POWER AMPLIFIER APPLICATIONS)

Strobe Flash Applications Medium Power Amplifier Applications • High DC current gain : hFE (1) = 800 to 3200 (VCE = 2 V, IC = 0.5 A) : hFE (2) = 250 (VCE = 2 V, IC = 4 A) • Low collector saturation voltage : VCE (sat) = 0.5 V (max) (IC = 4 A, IB = 40 mA) • High power d

TOSHIBA

东芝

Bipolar Small-Signal Transistors

MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBA

东芝

Silicon NPN Epitaxial

Features High DC current gain. Low collector saturation voltage. High power dissipation.

KEXIN

科信电子

Strobe Flash Applications Medium Power Amplifier Applications

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TOSHIBA

东芝

更新时间:2025-12-28 23:01:01
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