型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
2SC4115STPR

Low Frequency Transistor (20V, 3A)

文件:165.89 Kbytes Page:3 Pages

ROHM

罗姆

2SC4115STPR

封装/外壳:SC-72 成形引线 包装:卷带(TR)剪切带(CT) 描述:TRANS NPN 20V 2A SPT 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

ROHM

罗姆

Low Frequency Transistor

■ Features ● Collector Current Capability IC=3A ● Collector Emitter Voltage VCEO=20V ● Complements to 2SA1585

KEXIN

科信电子

TRANSISTOR (NPN)

FEATURES ● Low VCE(sat).VCE(sat) = 0.2V (Typ.)(IC / IB = 2A / 0.1A) ● Excellent current gain characteristics. ● Complements to 2SA1585

HTSEMI

金誉半导体

SOT-89-3L Plastic-Encapsulate Transistors

FEATURES Low VCE(sat).VCE(sat) = 0.2V (Typ.)(IC / IB = 2A / 0.1A) Excellent current gain characteristics. Complements to 2SA1585

DGNJDZ

南晶电子

NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor

FEATURES ● Low VCE(sat). VCE(sat) = 0.2V (Typ.)(IC / IB = 2A / 0.1A) ● Excellent current gain characteristics. ● Complements to 2SA1585.

BILIN

银河微电

NPN Plastic Encapsulated Transistor

FEATURES ● Small Flat Package ● General Purpose Application ● Low VCE(sat).VCE(sat) = 0.2V (Typ.)(IC / IB = 2A / 0.1A)

SECOS

喜可士

2SC4115STPR产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SC4115STPR

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT NPN 20V 3A

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2026-1-28 14:14:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ROHM/罗姆
2450+
SOT89
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TOSHIBA
25+
SOT323-3
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TOSHIBA
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SOT
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AUK
2223+
SOT-23
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只做原装正品假一赔十为客户做到零风险
CJ/长电
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TOSHIBA
24+
SOT323
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原装现货假一罚十

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    深圳市科恒伟业电子有限公司 深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼516 网站 http://www.kehengweiyedz.cn 网站http://www.kehengweiye.com 邮箱:yulin522@126.com 0755-83200050 15817287769 柯先生

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