2SC3624晶体管资料

  • 2SC3624(A)别名:2SC3624(A)三极管、2SC3624(A)晶体管、2SC3624(A)晶体三极管

  • 2SC3624(A)生产厂家:日本日电公司

  • 2SC3624(A)制作材料:Si-NPN

  • 2SC3624(A)性质:表面帖装型 (SMD)

  • 2SC3624(A)封装形式:贴片封装

  • 2SC3624(A)极限工作电压:60V

  • 2SC3624(A)最大电流允许值:0.15A

  • 2SC3624(A)最大工作频率:<1MHZ或未知

  • 2SC3624(A)引脚数:3

  • 2SC3624(A)最大耗散功率

  • 2SC3624(A)放大倍数:β=1800

  • 2SC3624(A)图片代号:H-15

  • 2SC3624(A)vtest:60

  • 2SC3624(A)htest:999900

  • 2SC3624(A)atest:0.15

  • 2SC3624(A)wtest:0

  • 2SC3624(A)代换 2SC3624(A)用什么型号代替:2SC2812,2SC3052,2SC3326,2SC3689,2SD1030,

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
2SC3624

AUDIO FREQUENCY AMPLIFIER, SWITCHING NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD

AUDIO FREQUENCY AMPLIFIER, SWITCHING NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTORS MINI MOLD FEATURES ● High DC Gurrent Gain : hFE = 1000 to 3200 ● Low VCE(sat) : VCE(sat) = 0.07 V TYP. ● High VEBO : VEBO = 15 V (2SC3624A)

NEC

瑞萨

2SC3624

Old Company Name in Catalogs and Other Documents

FEATURES ● High DC Gurrent Gain : hFE = 1000 to 3200 ● Low VCE(sat) : VCE(sat) = 0.07 V TYP. ● High VEBO : VEBO = 15 V (2SC3624A)

RENESAS

瑞萨

2SC3624

Old Company Name in Catalogs and Other Documents

FEATURES ● High DC Gurrent Gain : hFE = 1000 to 3200 ● Low VCE(sat) : VCE(sat) = 0.07 V TYP. ● High VEBO : VEBO = 15 V (2SC3624A)

RENESAS

瑞萨

2SC3624

NPN Silicon Epitaxial Transistor

Features ● High DC current Gain: hFE = 1000 to 3200. ● Low VCE(sat): (VCE(sat) = 0.07 V TYP).

KEXIN

科信电子

2SC3624

Small Signal Bipolar Transistors

RENESAS

瑞萨

Old Company Name in Catalogs and Other Documents

FEATURES ● High DC Gurrent Gain : hFE = 1000 to 3200 ● Low VCE(sat) : VCE(sat) = 0.07 V TYP. ● High VEBO : VEBO = 15 V (2SC3624A)

RENESAS

瑞萨

AUDIO FREQUENCY AMPLIFIER, SWITCHING NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD

AUDIO FREQUENCY AMPLIFIER, SWITCHING NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTORS MINI MOLD FEATURES ● High DC Gurrent Gain : hFE = 1000 to 3200 ● Low VCE(sat) : VCE(sat) = 0.07 V TYP. ● High VEBO : VEBO = 15 V (2SC3624A)

NEC

瑞萨

AUDIO FREQUENCY AMPLIFIER, SWITCHING NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD

AUDIO FREQUENCY AMPLIFIER, SWITCHING NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTORS MINI MOLD FEATURES ● High DC Gurrent Gain : hFE = 1000 to 3200 ● Low VCE(sat) : VCE(sat) = 0.07 V TYP. ● High VEBO : VEBO = 15 V (2SC3624A)

NEC

瑞萨

AUDIO FREQUENCY AMPLIFIER, SWITCHING NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD

AUDIO FREQUENCY AMPLIFIER, SWITCHING NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTORS MINI MOLD FEATURES ● High DC Gurrent Gain : hFE = 1000 to 3200 ● Low VCE(sat) : VCE(sat) = 0.07 V TYP. ● High VEBO : VEBO = 15 V (2SC3624A)

NEC

瑞萨

Small Signal Bipolar Transistors

RENESAS

瑞萨

Silicon transistor

NEC

瑞萨

封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 包装:散装 描述:TRANS NPN 50V 0.15A SC59 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

ETC

知名厂家

2SC3624产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SC3624

  • 制造商

    Renesas Electronics

  • 功能描述

    Cut Tape

  • 制造商

    Renesas Electronics Corporation

  • 功能描述

    NPN Transistor,50V,0.15A,MINI MOLD

  • 制造商

    Renesas

  • 功能描述

    Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 3-Pin Mini-Mold T/R

更新时间:2025-12-25 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS/瑞萨
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SOT-23
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NEC
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NA/
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NEC全新特价2SC3624A-T1B即刻询购立享优惠#长期有货

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