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High-hFE,Low-FrequencyGeneral-PurposeAmpApplications??????

HighhFE,Low-FrequencyGeneral-PurposeAmplifierApplications Features •AdoptionofFBETprocess. •HighDCcurrentgain(hFE=500to2000). •Highbreakdownvoltage(VCEO≥100V). •Lowcollector-to-emittersaturationvoltage(VCE(sat)≤0.5V). •HighVEBO(VEBO≥15V). •SmallCob(Cob=1.8pFt

SANYOSanyo

三洋三洋电机株式会社

SANYO
更新时间:2024-4-27 23:00:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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