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TRANSISTOR SILICON NPN DIFFUSED TYPE (PCT PROCESS)

Switching Regulator and High-Voltage Switching Applications High-Speed DC-DC Converter Applications • Excellent switching times: tr = 1.0 μs (max) tf = 1.5 μs (max), (IC = 0.5 A) • High breakdown voltage: VCEO = 400 V

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Bipolar Small-Signal Transistors

MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

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isc Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION ·Collector–Emitter Sustaining Voltage- : VCEO = 400 V(Min) ·Complement to the PNP 2SA1924 ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ·Designed for high voltage and general purpose applications.

ISC

无锡固电

Silicon NPN Triple Diffused Type (PCT Process)

文件:177.34 Kbytes Page:6 Pages

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更新时间:2025-12-25 18:10:01
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