| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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2SC3356K | NPNSiliconRFTransistor 文件：829.39 Kbytes Page：3 Pages | SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 時科广东時科微实业有限公司 |  |   |
MICROWAVELOWNOISEAMPLIFIER(NPNSILICONEPITAXIALTRANSISTOR) DESCRIPTION The2SC3356isanNPNsiliconepitaxialtransistordesignedforlownoiseamplifieratVHF,UHFandCATVband. Ithasdynamicrangeandgoodcurrentcharacteristic. FEATURES •LowNoiseandHighGain NF=1.1dBTYP.,Ga=11dBTYP.@VCE=10V,IC=7mA,f=1.0GHz •High | NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 |  | | |
iscSiliconNPNRFTransistor DESCRIPTION ·LowNoiseandHighGain NF=1.1dBTYP.,Ga=11dBTYP. @VCE=10V,IC=7mA,f=1.0GHz ·HighPowerGain MAG=13dBTYP. @VCE=10V,IC=20mA,f=1.0GHz APPLICATIONS ·DesignedforlownoiseamplifieratVHF,UHFandCATVband. | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 |  | | |
NPNSiliconEpitaxialTransistor Features ●Lownoiseandhighgain. NF=1.1dBTyp.,Ga=11dBTyp.@VCE=10V,IC=7mA,f=1.0GHz ●Highpowergain. MAG=13dBTyp.@VCE=10V,IC=20mA,f=1.0GHz | KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司 |  | | |
High-FrequencyAmplifierTransistorNPNSilicon FEATURES *LownoiseamplifieratVHF,UHFandCATVband. *LowNoiseandHighGain *HighPowerGain | WEITRONWEITRON 威堂電子科技 |  | | |
NPNSiliconPlastic-EncapsulateTransistor FEATURES •PowerDissipation •RoHSCompliantProduct | SECOS SeCoS Halbleitertechnologie GmbH |  | | |
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| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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LRC |
07+ |
SOT-23-3 |
665 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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UTC/友顺 |
22+ |
SOT-23 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
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SHIKUES(时科) |
23+ |
SOT23 |
6000 |
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SOT-23 |
23+ |
NA |
15659 |
振宏微专业只做正品,假一罚百! |
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LRC/NEC |
22+ |
SOT-23 |
3200 |
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23+ |
N/A |
36400 |
正品授权货源可靠 |
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SHIKUES/時科 |
23+ |
NA/ |
10 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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UTC |
23/22+ |
SOT23 |
6000 |
20年老代理.原厂技术支持 |
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Renesas |
21+ |
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7 |
全新原装鄙视假货15118075546 |
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LRC/乐山无线电/乐山无线电股份 |
21+ |
SOT-23-3 |
665 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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