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2SC3332晶体管资料

  • 2SC3332别名：2SC3332三极管、2SC3332晶体管、2SC3332晶体三极管

  • 2SC3332生产厂家：日本三洋公司

  • 2SC3332制作材料：Si-NPN

  • 2SC3332性质：通用型 （Uni）

  • 2SC3332封装形式：直插封装

  • 2SC3332极限工作电压：180V

  • 2SC3332最大电流允许值：0.7A

  • 2SC3332最大工作频率：120MHZ

  • 2SC3332引脚数：3

  • 2SC3332最大耗散功率：0.7W

  • 2SC3332放大倍数：

  • 2SC3332图片代号：A-20

  • 2SC3332vtest：180

  • 2SC3332htest：120000000

  • 2SC3332atest：.7

  • 2SC3332wtest：.7

  • 2SC3332代换 2SC3332用什么型号代替：2SC2383,2SC4612,2SD1526,3DA88C,

2SC3332价格

参考价格：￥1.0042

型号：2SC3332S 品牌：ON 备注：这里有2SC3332多少钱，2024年最近7天走势，今日出价，今日竞价，2SC3332批发/采购报价，2SC3332行情走势销售排行榜，2SC3332报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
2SC3332

High-VoltageSwitchingApplications

High-VoltageSwitchingApplications Features ·Hgihbreakdownvoltage. ·ExcellenthFElinearity. ·WideASOandhighlyresistanttobreakdown. ·AdoptionofMBITprocess.

SANYOSanyo

三洋三洋电机株式会社

SANYO
2SC3332

BipolarTransistor160V,0.7A,LowVCE(sat)NPNSingleNP

Features •Hgihbreakdownvoltage •ExcellenthFElinearity •WideSOAandhighlyresistanttobreakdown •AdoptionofMBITprocess

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
2SC3332

BipolarTransistor160V,0.7A,LowVCE(sat)NPNSingleNP

Features •Hgihbreakdownvoltage •ExcellenthFElinearity •WideSOAandhighlyresistanttobreakdown •AdoptionofMBITprocess

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
2SC3332

BipolarTransistor160V,0.7A,LowVCE(sat)NPNSingleNP

Features •Hgihbreakdownvoltage •ExcellenthFElinearity •WideSOAandhighlyresistanttobreakdown •AdoptionofMBITprocess

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
2SC3332

High-VoltageSwitchingApplications

文件：103.04 Kbytes Page：4 Pages

SANYOSanyo

三洋三洋电机株式会社

SANYO
2SC3332R

BipolarTransistor160V,0.7A,LowVCE(sat)NPNSingleNP

Features •Hgihbreakdownvoltage •ExcellenthFElinearity •WideSOAandhighlyresistanttobreakdown •AdoptionofMBITprocess

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
2SC3332S

BipolarTransistor160V,0.7A,LowVCE(sat)NPNSingleNP

Features •Hgihbreakdownvoltage •ExcellenthFElinearity •WideSOAandhighlyresistanttobreakdown •AdoptionofMBITprocess

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
2SC3332S

BipolarTransistor160V,0.7A,LowVCE(sat)NPNSingleNP

Features •Hgihbreakdownvoltage •ExcellenthFElinearity •WideSOAandhighlyresistanttobreakdown •AdoptionofMBITprocess

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
2SC3332S

BipolarTransistor160V,0.7A,LowVCE(sat)NPNSingleNP

Features •Hgihbreakdownvoltage •ExcellenthFElinearity •WideSOAandhighlyresistanttobreakdown •AdoptionofMBITprocess

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
2SC3332S-AA

BipolarTransistor160V,0.7A,LowVCE(sat)NPNSingleNP

Features •Hgihbreakdownvoltage •ExcellenthFElinearity •WideSOAandhighlyresistanttobreakdown •AdoptionofMBITprocess

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
2SC3332S-AA

BipolarTransistor160V,0.7A,LowVCE(sat)NPNSingleNP

Features •Hgihbreakdownvoltage •ExcellenthFElinearity •WideSOAandhighlyresistanttobreakdown •AdoptionofMBITprocess

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
2SC3332S-AA

BipolarTransistor160V,0.7A,LowVCE(sat)NPNSingleNP

Features •Hgihbreakdownvoltage •ExcellenthFElinearity •WideSOAandhighlyresistanttobreakdown •AdoptionofMBITprocess

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
2SC3332T

BipolarTransistor160V,0.7A,LowVCE(sat)NPNSingleNP

Features •Hgihbreakdownvoltage •ExcellenthFElinearity •WideSOAandhighlyresistanttobreakdown •AdoptionofMBITprocess

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
2SC3332T

BipolarTransistor160V,0.7A,LowVCE(sat)NPNSingleNP

Features •Hgihbreakdownvoltage •ExcellenthFElinearity •WideSOAandhighlyresistanttobreakdown •AdoptionofMBITprocess

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
2SC3332T

BipolarTransistor160V,0.7A,LowVCE(sat)NPNSingleNP

Features •Hgihbreakdownvoltage •ExcellenthFElinearity •WideSOAandhighlyresistanttobreakdown •AdoptionofMBITprocess

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
2SC3332T-AA

BipolarTransistor160V,0.7A,LowVCE(sat)NPNSingleNP

Features •Hgihbreakdownvoltage •ExcellenthFElinearity •WideSOAandhighlyresistanttobreakdown •AdoptionofMBITprocess

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
2SC3332T-AA

BipolarTransistor160V,0.7A,LowVCE(sat)NPNSingleNP

Features •Hgihbreakdownvoltage •ExcellenthFElinearity •WideSOAandhighlyresistanttobreakdown •AdoptionofMBITprocess

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
2SC3332T-AA

BipolarTransistor160V,0.7A,LowVCE(sat)NPNSingleNP

Features •Hgihbreakdownvoltage •ExcellenthFElinearity •WideSOAandhighlyresistanttobreakdown •AdoptionofMBITprocess

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
2SC3332_11

High-VoltageSwitchingApplications

文件：103.04 Kbytes Page：4 Pages

SANYOSanyo

三洋三洋电机株式会社

SANYO
2SC3332R-AA

封装/外壳：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：TRANS NPN 160V 0.7A 3NP 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
2SC3332S

封装/外壳：TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA） 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：TRANS NPN 160V 0.7A 3NP 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

2SC3332产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SC3332

  • 制造商

    SANYO

  • 制造商全称

    Sanyo Semicon Device

  • 功能描述

    High-Voltage Switching Applications

2SC3332供应商更多...

更新时间：2024-6-22 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市得捷芯城科技有限公司
2SC3332
SANYO/三洋
23+
NA/
9250
原装现货,当天可交货,原型号开票
询价
深圳市明嘉莱科技有限公司
2SC3332T-AA
ON/安森美
24+
TO-92
860000
明嘉莱只做原装正品现货
询价
深圳市威雅利发展有限公司
2SC3332
SANYO
11+
TO-92
1188
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
询价
深圳廊盛科技有限公司
2SC3332其他被动元件
SANYO/三洋
2022
TO92
80000
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询
询价
深圳市慧拓科技有限公司
2SC3332T-AA
ON Semiconductor
23+/22+
1300
原装进口订货7-10个工作日
询价
深圳市华博特电子有限公司
2SC3332T-AA
onsemi
23/22+
NA
9000
代理渠道.实单必成
询价
瀚佳科技(深圳)有限公司
2SC3332
HGF
18+
TO-92L
9862
全新原装现货/假一罚百!
询价
深圳市一线半导体有限公司
2SC3332
4500
询价
深圳市赛特兴科技有限公司
2SC3332S-AA
ON
23+
TO92
5406
正规渠道,只有原装!
询价
深圳市汇莱威科技有限公司
2SC3332
HGF
TO-92L
13500
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量
询价

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2SC3332参数引脚图相关

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    2SC3356,全新原装现货0755-82732291当天发货或门市自取.QQ：1755232575/QQ：1157611585，微信号:87680558.

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  • 2SC380TM-O

    只做原装假一赔十

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    产品属性属性值搜索类似 制造商:Toshiba 产品种类:双极晶体管-双极结型晶体管(BJT) 系列:2SC3671 技术:Si 商标:Toshiba 产品类型:BJTs-BipolarTransistors 子类别:Transistors

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