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NPN EPITAXIAL TYPE (HIGH CURRENT SWITCING APPLICATIONS)

High Current Switching Applications DC-DC Converter Applications • Low collector saturation voltage: VCE (sat)= 0.4 V (max) (IC= 3 A) • High speed switching time: tstg= 1.0 µs (typ.)

TOSHIBA

东芝

5A , 100V NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor

FEATURES • Low Collector-to-Emitter Saturation Voltage • Excllent Linearity of hFE • High fT • Fast Switching Time

SECOS

喜可士

Bipolar Small-Signal Transistors

MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBA

东芝

isc Silicon NPN Power Transistor

文件:270.91 Kbytes Page:2 Pages

ISC

无锡固电

High Current Switching Applications DC-DC Converter Applications

文件:187.22 Kbytes Page:5 Pages

TOSHIBA

东芝

更新时间:2025-12-31 13:31:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TOSHIBA/东芝
24+
SOT-252
60000
TOSHIBA
08+PBF
TO-252
2000
现货
TOSHIBA
2016+
TO-252
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公司只做原装,假一罚十,可开17%增值税发票!
TOSHIBA/东芝
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TOSHIBA
原厂封装
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原装进口公司现货假一赔百

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