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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
NPN EPITAXIAL TYPE (STOROBO FLASH, MEDIUM POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) Strobe Flash Applications Medium Power Amplifier Applications • High DC current gain and excellent hFElinearity : hFE (1)= 140~600 (VCE= 1 V, IC= 0.5 A) : hFE (2)= 70 (min), 200 (typ.) (VCE= 1 V, IC= 2 A) • Low saturation voltage: VCE (sat)= 0.5 V (max) (IC= 2 A, IB= 50 | TOSHIBA 东芝 |   | ||
NPN Transistor Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES High DC current gain and excellent hFElinearity. Low saturation voltage. | SECOS 喜可士 | | ||
NPN Plastic Encapsulated Transistor 文件：295.39 Kbytes Page：2 Pages | SECOS 喜可士 | | ||
TRANSISTOR (NPN) 文件：125.94 Kbytes Page：1 Pages | WINNERJOIN 永而佳 | | ||
Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) Strobe Flash Applications 文件：335.57 Kbytes Page：3 Pages | TOSHIBA 东芝 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TOSHIBA/东芝 |
2447 |
TO92 |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
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TOSHIBA |
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TO-92 |
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TOSHIBA |
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TOSHIBA |
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TO-92 |
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一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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CJ/长电 |
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TO-92 |
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