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NPN EPITAXIAL TYPE (LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER, POWER SWITCHING APPLICATIONS)

Low Frequency Power Amplifier Applications Power Switching Applications High DC current gain: hFE (1) = 100~320 Low saturation voltage: VCE (sat) = 0.4 V (max) (IC = 500 mA, IB = 20 mA) Complementary to 2SA1298

TOSHIBA

东芝

Low Frequency Power Amplifier Applications Power Switching Applications

Low Frequency Power Amplifier Applications Power Switching Applications High DC current gain: hFE (1) = 100~320 Low saturation voltage: VCE (sat) = 0.4 V (max) (IC = 500 mA, IB = 20 mA) Complementary to 2SA1298

TOSHIBA

东芝

Silicon NPN Epitaxial

Features ● High DC current gain: hFE (1) = 100320. ● Low saturation voltage: VCE (sat) = 0.4 V (max) (IC = 500 mA, IB = 20 mA).

KEXIN

科信电子

NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

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WINNERJOIN

永而佳

Low Frequency Power Amplifier Applications Power Switching Applications

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TOSHIBA

东芝

更新时间:2025-12-26 23:01:01
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