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NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (RF POWER TRANSISTOR)

DESCRIPTION 2SC2905 is a silicon NPN epitaxial planar type transistor specifically designed for high power amplifiers applications in UHF band. APPLICATION For output stage of 35 - 40W power amplifiers in UHF band.

Mitsubishi

三菱电机

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION: The ASI 2SC2905 is designed for high power amplifier applications in UHF band. FEATURES: • Emitter Ballasted construction. • PG = 4.8 dB at 45 W/520 MHz • Omnigold™ Metalization System • Common Emitter

ASI

更新时间:2025-12-25 8:48:01
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