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2SC2712晶体管资料

  • 2SC2712别名：2SC2712三极管、2SC2712晶体管、2SC2712晶体三极管

  • 2SC2712生产厂家：日本东芝公司

  • 2SC2712制作材料：Si-NPN

  • 2SC2712性质：表面帖装型 （SMD）_通用型 （Uni）

  • 2SC2712封装形式：贴片封装

  • 2SC2712极限工作电压：60V

  • 2SC2712最大电流允许值：0.15A

  • 2SC2712最大工作频率：150MHZ

  • 2SC2712引脚数：3

  • 2SC2712最大耗散功率：

  • 2SC2712放大倍数：

  • 2SC2712图片代号：H-15

  • 2SC2712vtest：60

  • 2SC2712htest：150000000

  • 2SC2712atest：0.15

  • 2SC2712wtest：0

  • 2SC2712代换 2SC2712用什么型号代替：BC846,BCV71,BCV72,2SC3323,2SC3340,

2SC2712价格

参考价格：￥0.1383

型号：2SC2712-GR,LF 品牌：Toshiba 备注：这里有2SC2712多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，2SC2712批发/采购报价，2SC2712行情走势销售排行榜，2SC2712报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
2SC2712

TRANSISTOR(AUDIOFREQUENCYGENERALPURPOSEAMPLFIERAPPLICATIONS)

AudioFrequencyGeneralPurposeAmplifierApplications •Highvoltageandhighcurrent:VCEO=50V,IC=150mA(max) •ExcellenthFElinearity:hFE(IC=0.1mA)/hFE(IC=2mA) =0.95(typ.) •HighhFE:hFE=70~700 •Lownoise:NF=1dB(typ.),1

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA
2SC2712

SiliconNPNTransistors

SiliconNPNTransistors P/bLead(Pb)-Free

WEITRON

Weitron Technology

WEITRON
2SC2712

AUDIOFREQUENCYAMPLIFIERNPNTRANSISTOR

AUDIOFREQUENCYAMPLIFIERNPNTRANSISTOR FEATURES *HighVoltageandHighCurrent:VCEO=50V,IC=150mA(Max.) *ExcellenthFELinearity:hFE(IC=0.1mA)/hFE(IC=2mA)=0.95(Typ.) *HighhFE *LowNoise

UTCUnisonic Technologies

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
2SC2712

SiliconEpitaxialPlanarTransistor

FEATURES ●Lownoise：NF=1dB(Typ.),10dB(Max). ●Complementaryto2SA1162. ●Highvoltageandhighcurrent. ●HighhFElinearity. APPLICATIONS ●Audiofrequencygeneralpurposeamplifierapplications.

BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited

银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司

BILIN
2SC2712

SiliconNPNEpitaxialTypeTransistor

Features ●Highvoltageandhighcurrent:VCEO=50V,IC=150mA(max) ●ExcellenthFElinearity:hFE(IC=0.1mA)/hFE(IC=2mA)=0.95(typ.) ●HighhFE:hFE=70700 ●Lownoise:NF=1dB(typ.),10dB(max)

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信电子广东科信实业有限公司

KEXIN
2SC2712

TRANSISTOR(NPN)

FEATURE •LowNoise:NF=1dB(Typ),10dB(MAX) •Complementaryto2SA1162

HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd.

金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司

HTSEMI
2SC2712

NPNSiliconGeneralPurposeTransistor

FEATURE •LowNoise:NF=1dB(Typ.),10db(Max.) •Complementsofthe2SA1162

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

SECOS
2SC2712

SOT-23Plastic-EncapsulateTransistors

TRANSISTOR(NPN) FEATURE •LowNoise:NF=1dB(Typ),10dB(MAX) •Complementaryto2SA1162 •AudioFrequencyGeneralPurposeAmplifierApplications

JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

长电科技江苏长电科技股份有限公司

JIANGSU
2SC2712

SOT-23Plastic-EncapsulateTransistors

TRANSISTOR(NPN) Features ●AudioFrequencyGeneralPurposeAmplifierApplications ●LowNoise:NF=1dB(Typ),10dB(MAX) ●Complementaryto2SA1162

HDSEMIJiangsu High diode Semiconductor Co., Ltd

苏海德半导体苏海德半导体有限公司

HDSEMI
2SC2712

Plastic-EncapsulateTransistors

FEATURES LowNoise:NF=1dB(Typ),10dB(MAX) Complementaryto2SA1162

HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd.

合科泰深圳市合科泰电子有限公司

HOTTECH
2SC2712

NPNEPITAXIALSILICONTRANSISTOR

PRF-AMPLIFIER,LOWLEVEL&LOWNOISE ●Complemento2SA1037 ●Collector-current:Ic=100mA ●Collector-EmillerVoltage:VCE=45V ●HighTotalpowerDissipationPc=225mW ●HighlifeAndGoodLinearity

WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD

永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司

WINNERJOIN
2SC2712

iscSiliconNPNPowerTransistor

DESCRIPTION •WithSOT-23packaging •Highcollector-basevoltage •Highpowerdissipation •Lowsaturationvoltage •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation APPLICATIONS •Poweramplifierapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
2SC2712

LowNoise,Complementaryto2SA1162

FEATURES Lownoise：NF=1dB(Typ.),10dB(Max). Complementaryto2SA1162. Highvoltageandhighcurrent. HighhFElinearity. APPLICATIONS Audiofrequencygeneralpurposeamplifierapplications.

SKTECHNOLGYSHIKE Electronics

时科广东时科微实业有限公司

SKTECHNOLGY
2SC2712

SOT-23Plastic-EncapsulateTransistors

FEATURE ·LowNoise:NF=1dB(Typ),10dB(MAX) ·Complementaryto2SA1162 ·AudioFrequencyGeneralPurposeAmplifierApplications

UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.

友台半导体广东友台半导体有限公司

UMW
2SC2712

GENERALPURPOSETRANSISTORNPN150mW150mA50V

文件：644.62 Kbytes Page：5 Pages

AITSEMIAiT Semiconductor Inc.

创瑞科技AiT创瑞科技

AITSEMI
2SC2712

NPNTransistors

文件：556.14 Kbytes Page：3 Pages

YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD

佑风微电子广东佑风微电子有限公司

YFWDIODE
2SC2712

SiliconNPNtransistorinaSOT-23PlasticPackage

文件：924.53 Kbytes Page：6 Pages

FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.

蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司

FOSHAN
2SC2712

SiliconEpitaxialPlanarTransistor

文件：170.61 Kbytes Page：4 Pages

BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited

银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司

BILIN
2SC2712

Plastic-EncapsulateTransistors

文件：482.23 Kbytes Page：3 Pages

SHENZHENSLSSHENZHEN SLS TECHNOLOGY CO.,LTD.

三联盛科技股份深圳市三联盛科技股份有限公司

SHENZHENSLS
2SC2712

SiliconEpitaxialPlanarTransistor

文件：1.07182 Mbytes Page：2 Pages

LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd

鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司

LUGUANG
2SC2712

NPNEpitaxialPlanarTransistor

文件：385.88 Kbytes Page：3 Pages

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

SECOS
2SC2712

SOT-23BIPOLARTRANSISTORSTRANSISTOR(PNP)

文件：295.63 Kbytes Page：2 Pages

RECTRON

Rectron Semiconductor

RECTRON
2SC2712

AUDIOFREQUENCYAMPLIFIERNPNTRANSISTOR

文件：206.79 Kbytes Page：4 Pages

UTCUnisonic Technologies

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
2SC2712

SiliconNPNEpitaxialType(PCTprocess)

文件：624.13 Kbytes Page：5 Pages

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA
2SC2712BL

SiliconNPNTransistors

SiliconNPNTransistors P/bLead(Pb)-Free

WEITRON

Weitron Technology

WEITRON
2SC2712BL

LowNoise,Complementaryto2SA1162

FEATURES Lownoise：NF=1dB(Typ.),10dB(Max). Complementaryto2SA1162. Highvoltageandhighcurrent. HighhFElinearity. APPLICATIONS Audiofrequencygeneralpurposeamplifierapplications.

SKTECHNOLGYSHIKE Electronics

时科广东时科微实业有限公司

SKTECHNOLGY
2SC2712-BL

NPNPlastic-EncapsulateTransistors

Features •Complementaryto2SA1162 •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoisureSensitivityLevel1 •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半导体股份有限公司

MCC
2SC2712-G-AE3-R

AUDIOFREQUENCYAMPLIFIERNPNTRANSISTOR

AUDIOFREQUENCYAMPLIFIERNPNTRANSISTOR FEATURES *HighVoltageandHighCurrent:VCEO=50V,IC=150mA(Max.) *ExcellenthFELinearity:hFE(IC=0.1mA)/hFE(IC=2mA)=0.95(Typ.) *HighhFE *LowNoise

UTCUnisonic Technologies

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
2SC2712GR

SiliconNPNTransistors

SiliconNPNTransistors P/bLead(Pb)-Free

WEITRON

Weitron Technology

WEITRON
2SC2712GR

LowNoise,Complementaryto2SA1162

FEATURES Lownoise：NF=1dB(Typ.),10dB(Max). Complementaryto2SA1162. Highvoltageandhighcurrent. HighhFElinearity. APPLICATIONS Audiofrequencygeneralpurposeamplifierapplications.

SKTECHNOLGYSHIKE Electronics

时科广东时科微实业有限公司

SKTECHNOLGY
2SC2712-GR

NPNPlastic-EncapsulateTransistors

Features •Complementaryto2SA1162 •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoisureSensitivityLevel1 •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半导体股份有限公司

MCC
2SC2712GRTE85L

AudioFrequencyGeneralPurposeAmplifierApplications

AudioFrequencyGeneralPurposeAmplifierApplications •Highvoltageandhighcurrent:VCEO=50V,IC=150mA(max) •ExcellenthFElinearity:hFE(IC=0.1mA)/hFE(IC=2mA) =0.95(typ.) •HighhFE:hFE=70~700 •Lownoise:NF=1dB(typ.),1

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA
2SC2712GT1G

MediumFrequencyNPNAmplifierTransistor50V,200mA,80MHz

The2SC2712GT1Gisdesignedforlowtomediumfrequencyapplicationssuchaswirelesstoys.ThetargeteddesignenablesimprovedperformanceversustheindustrystandardMMBT3904*insomekeyparametricspecifications. Features •LowerVCE(sat)* •HigherGain(hfe)* •HigherBreakdow

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
2SC2712-L-AE3-R

AUDIOFREQUENCYAMPLIFIERNPNTRANSISTOR

AUDIOFREQUENCYAMPLIFIERNPNTRANSISTOR FEATURES *HighVoltageandHighCurrent:VCEO=50V,IC=150mA(Max.) *ExcellenthFELinearity:hFE(IC=0.1mA)/hFE(IC=2mA)=0.95(Typ.) *HighhFE *LowNoise

UTCUnisonic Technologies

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
2SC2712L-G-AE3-R

AUDIOFREQUENCYAMPLIFIERNPNTRANSISTOR

AUDIOFREQUENCYAMPLIFIERNPNTRANSISTOR FEATURES *HighVoltageandHighCurrent:VCEO=50V,IC=150mA(Max.) *ExcellenthFELinearity:hFE(IC=0.1mA)/hFE(IC=2mA)=0.95(Typ.) *HighhFE *LowNoise

UTCUnisonic Technologies

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
2SC2712L-L-AE3-R

AUDIOFREQUENCYAMPLIFIERNPNTRANSISTOR

AUDIOFREQUENCYAMPLIFIERNPNTRANSISTOR FEATURES *HighVoltageandHighCurrent:VCEO=50V,IC=150mA(Max.) *ExcellenthFELinearity:hFE(IC=0.1mA)/hFE(IC=2mA)=0.95(Typ.) *HighhFE *LowNoise

UTCUnisonic Technologies

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
2SC2712L-O-AE3-R

AUDIOFREQUENCYAMPLIFIERNPNTRANSISTOR

AUDIOFREQUENCYAMPLIFIERNPNTRANSISTOR FEATURES *HighVoltageandHighCurrent:VCEO=50V,IC=150mA(Max.) *ExcellenthFELinearity:hFE(IC=0.1mA)/hFE(IC=2mA)=0.95(Typ.) *HighhFE *LowNoise

UTCUnisonic Technologies

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
2SC2712L-X-AE3-R

AUDIOFREQUENCYAMPLIFIERNPNTRANSISTOR

AUDIOFREQUENCYAMPLIFIERNPNTRANSISTOR FEATURES *HighVoltageandHighCurrent:VCEO=50V,IC=150mA(Max.) *ExcellenthFELinearity:hFE(IC=0.1mA)/hFE(IC=2mA)=0.95(Typ.) *HighhFE *LowNoise

UTCUnisonic Technologies

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
2SC2712L-Y-AE3-R

AUDIOFREQUENCYAMPLIFIERNPNTRANSISTOR

AUDIOFREQUENCYAMPLIFIERNPNTRANSISTOR FEATURES *HighVoltageandHighCurrent:VCEO=50V,IC=150mA(Max.) *ExcellenthFELinearity:hFE(IC=0.1mA)/hFE(IC=2mA)=0.95(Typ.) *HighhFE *LowNoise

UTCUnisonic Technologies

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
2SC2712O

LowNoise,Complementaryto2SA1162

FEATURES Lownoise：NF=1dB(Typ.),10dB(Max). Complementaryto2SA1162. Highvoltageandhighcurrent. HighhFElinearity. APPLICATIONS Audiofrequencygeneralpurposeamplifierapplications.

SKTECHNOLGYSHIKE Electronics

时科广东时科微实业有限公司

SKTECHNOLGY
2SC2712-O

NPNPlastic-EncapsulateTransistors

Features •Complementaryto2SA1162 •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoisureSensitivityLevel1 •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半导体股份有限公司

MCC
2SC2712-O-AE3-R

AUDIOFREQUENCYAMPLIFIERNPNTRANSISTOR

AUDIOFREQUENCYAMPLIFIERNPNTRANSISTOR FEATURES *HighVoltageandHighCurrent:VCEO=50V,IC=150mA(Max.) *ExcellenthFELinearity:hFE(IC=0.1mA)/hFE(IC=2mA)=0.95(Typ.) *HighhFE *LowNoise

UTCUnisonic Technologies

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
2SC2712Q

SiliconNPNTransistors

SiliconNPNTransistors P/bLead(Pb)-Free

WEITRON

Weitron Technology

WEITRON
2SC2712-X-AE3-R

AUDIOFREQUENCYAMPLIFIERNPNTRANSISTOR

AUDIOFREQUENCYAMPLIFIERNPNTRANSISTOR FEATURES *HighVoltageandHighCurrent:VCEO=50V,IC=150mA(Max.) *ExcellenthFELinearity:hFE(IC=0.1mA)/hFE(IC=2mA)=0.95(Typ.) *HighhFE *LowNoise

UTCUnisonic Technologies

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
2SC2712Y

SiliconNPNTransistors

SiliconNPNTransistors P/bLead(Pb)-Free

WEITRON

Weitron Technology

WEITRON
2SC2712Y

LowNoise,Complementaryto2SA1162

FEATURES Lownoise：NF=1dB(Typ.),10dB(Max). Complementaryto2SA1162. Highvoltageandhighcurrent. HighhFElinearity. APPLICATIONS Audiofrequencygeneralpurposeamplifierapplications.

SKTECHNOLGYSHIKE Electronics

时科广东时科微实业有限公司

SKTECHNOLGY
2SC2712-Y

NPNPlastic-EncapsulateTransistors

Features •Complementaryto2SA1162 •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoisureSensitivityLevel1 •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半导体股份有限公司

MCC
2SC2712-Y-AE3-R

AUDIOFREQUENCYAMPLIFIERNPNTRANSISTOR

AUDIOFREQUENCYAMPLIFIERNPNTRANSISTOR FEATURES *HighVoltageandHighCurrent:VCEO=50V,IC=150mA(Max.) *ExcellenthFELinearity:hFE(IC=0.1mA)/hFE(IC=2mA)=0.95(Typ.) *HighhFE *LowNoise

UTCUnisonic Technologies

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
2SC2712_07

SiliconNPNEpitaxialType(PCTprocess)

文件：624.13 Kbytes Page：5 Pages

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA
2SC2712_07

SiliconEpitaxialPlanarTransistor

文件：167.79 Kbytes Page：4 Pages

BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited

银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司

BILIN
2SC2712_09

AUDIOFREQUENCYAMPLIFIERNPNTRANSISTOR

文件：206.79 Kbytes Page：4 Pages

UTCUnisonic Technologies

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
2SC2712_11

NPNEpitaxialPlanarTransistor

文件：385.88 Kbytes Page：3 Pages

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

SECOS
2SC2712_13

SiliconEpitaxialPlanarTransistor

文件：170.61 Kbytes Page：4 Pages

BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited

银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司

BILIN
2SC2712_15

NPNEpitaxialPlanarTransistor

文件：374.4 Kbytes Page：3 Pages

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

SECOS
2SC2712_15

NPNTransistors

文件：1.0814 Mbytes Page：2 Pages

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信电子广东科信实业有限公司

KEXIN
2SC2712_15

NPNEPITAXIALSILICONTRANSISTOR

文件：99.97 Kbytes Page：1 Pages

WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD

永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司

WINNERJOIN
2SC2712-BL

NPNPlastic-EncapsulateTransistors

文件：277.69 Kbytes Page：3 Pages

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半导体股份有限公司

MCC
2SC2712-BL,LXHF

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：TRANS NPN 50V 0.15A SMINI 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

ETC

知名厂家

2SC2712G

GENERALPURPOSETRANSISTORNPN150mW150mA50V

文件：644.62 Kbytes Page：5 Pages

AITSEMIAiT Semiconductor Inc.

创瑞科技AiT创瑞科技

AITSEMI
2SC2712-G

NPNTransistors

文件：1.0814 Mbytes Page：2 Pages

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信电子广东科信实业有限公司

KEXIN

2SC2712产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SC2712

  • 制造商

    Panasonic Industrial Company

  • 功能描述

    TRANSISTOR

  • 制造商

    Toshiba

  • 功能描述

    50V, 150mA, NPN BJT

2SC2712供应商更多...

更新时间：2025-7-6 21:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市威雅利发展有限公司
2SC2712
CJ
18+
SOT23
2954
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
询价
深圳市亿联芯电子科技有限公司
2SC2712
SSCP
2023+
SSCP
2954
原厂全新正品旗舰店优势现货
询价
深圳市科芯源微电子有限公司
2SC2712
TOSHIBA/东芝
23+
SOT-23
100586
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费!
询价
深圳市星宇佳科技有限公司
2SC2712-GR
TOSHIBA/东芝
10+
SOT-23
1630
深圳原装进口无铅现货
询价
深圳兆威电子有限公司
2SC2712
TOSHIBA
23+
SOT-23
63000
原装正品现货
询价
深圳市汇莱威科技有限公司
2SC2712-Y(TLSPF
TOSHIBA
2024
SOT23
13500
16余年资质 绝对原盒原盘代理渠道 更多数量
询价
深圳市明嘉莱科技有限公司
2SC2712
TOSHIBA/东芝
25+
NA
880000
明嘉莱只做原装正品现货
询价
深圳市得捷芯城科技有限公司
2SC2712-Y
TOSHIBA(东芝)
24+
N/A
7548
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同
询价
深圳市华斯顿科技有限公司
2SC2712
TOSHIBA
25+23+
SOP23
36668
绝对原装正品全新进口深圳现货
询价
深圳市恒达亿科技有限公司
2SC2712-GR(TE85L.F)
TOSHIBA
23+
SOT23-3
6000
全新原装现货、诚信经营!
询价

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