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2SC2712GT1G

Medium Frequency NPN Amplifier Transistor 50 V, 200 mA, 80 MHz

The 2SC2712GT1G is designed for low to medium frequency applications such as wireless toys. The targeted design enables improved performance versus the industry standard MMBT3904* in some key parametric specifications. Features • Lower VCE(sat)* • Higher Gain (hfe)* • Higher Breakdow

ONSEMI

安森美半导体

2SC2712GT1G产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SC2712GT1G

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT 0.15A 60V NPN

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2025-11-17 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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