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型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
2SC1959-GR

PowerSiliconNPNTransistor

Features •Audiofrequencylowpoweramplifierapplications,driverstage amplifierapplications,switchingapplications •ExcellenthFELinearity:hFE(2)=25(Min.):VCE=6.0V,IC=400mA •1WattAmplifierapplications •Complementaryto2SA562TM. •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityratin

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半导体股份有限公司

MCC
2SC1959-GR

PowerSiliconNPNTransistor

文件：363.22 Kbytes Page：3 Pages

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半导体股份有限公司

MCC
2SC1959

NPNPlasticEncapsulatedTransistor

FEATURES ●ExcellenthFELinearity ●HighTransitionFrequency

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

SECOS
2SC1959

TRANSISTOR(AUDIOFREQUENCYLOWPOWER,DRIVERSTAGEAMPLIFIERSWITCHINGAPPLICATIONS)

AudioFrequencyLowPowerAmplifierApplications DriverStageAmplifierApplications SwitchingApplications *ExcellenthFElinearity:hFE(2)=25(min):VCE=6V,IC=400mA *1wattamplifierapplications. *Complementaryto2SA562TM.

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA
2SC1959

Plastic-EncapsulatedTransistors

TRANSISTOR(NPN) FEATURE Powerdissipation PCM:0.5W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:0.5A Collector-basevoltage V(BR)CBO:35V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange Tstg:-55℃to+150℃ TJ:150℃

TELTokyo Electron Ltd.

东电电子东京电子有限公司

TEL
2SC1959

TECHNICALSPECIFICATIONSOFNPNEPITAXIALPLANARTRANSISTOR

Description Designedforaudiofrequencylow-poweramplifierapplications.

DCCOM

Dc Components

DCCOM
2SC1959

SiliconPNPEpitaxialType(PCTprocess)

文件：319.24 Kbytes Page：3 Pages

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA
2SC1959-GR-AP

封装/外壳：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线 包装：带盒（TB） 描述：TRANS NPN 30V 0.5A TO92 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半导体股份有限公司

MCC

2SC1959-GR供应商更多...

更新时间：2025-6-20 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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