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2SC1959-GR-AP

封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引线 包装:带盒(TB) 描述:TRANS NPN 30V 0.5A TO92 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半导体股份有限公司

MCC

TRANSISTOR(AUDIOFREQUENCYLOWPOWER,DRIVERSTAGEAMPLIFIERSWITCHINGAPPLICATIONS)

AudioFrequencyLowPowerAmplifierApplications DriverStageAmplifierApplications SwitchingApplications *ExcellenthFElinearity:hFE(2)=25(min):VCE=6V,IC=400mA *1wattamplifierapplications. *Complementaryto2SA562TM.

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA

Plastic-EncapsulatedTransistors

TRANSISTOR(NPN) FEATURE Powerdissipation PCM:0.5W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:0.5A Collector-basevoltage V(BR)CBO:35V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange Tstg:-55℃to+150℃ TJ:150℃

TELTokyo Electron Ltd.

东电电子东京电子有限公司

TEL

TECHNICALSPECIFICATIONSOFNPNEPITAXIALPLANARTRANSISTOR

Description Designedforaudiofrequencylow-poweramplifierapplications.

DCCOM

Dc Components

DCCOM

NPNPlasticEncapsulatedTransistor

FEATURES ●ExcellenthFELinearity ●HighTransitionFrequency

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

SECOS

SiliconPNPEpitaxialType(PCTprocess)

文件:319.24 Kbytes Page:3 Pages

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA
更新时间:2025-6-20 12:34:00
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TOS
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