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2SB806-Q

-120V,-0.7A,General Purpose PNP Bipolar Transistor

GALAXY

银河微电

PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD

DESCRIPTION The 2SB805 and 2SB806 are designed for audio frequency power amplifier application, especially in Hybrid integrated Circuits.

NEC

瑞萨

PNP Silicon Epitaxial Transistor

Features ● High collector to emitter voltage: VCEO > -120V.

KEXIN

科信电子

High collector to emitter voltage

Features High collector to emitter voltage: VCEO > -120V.

SKTECHNOLGYSHIKE Electronics

时科广东时科微实业有限公司

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RENESAS

瑞萨

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RENESAS

瑞萨

PNP Transistors

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KEXIN

科信电子

更新时间:2026-1-1 17:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NEC
23+
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专做原装正品,假一罚百!
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SOT-89
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明嘉莱只做原装正品现货
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SOT89
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郑重承诺只做原装进口现货
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原装现货假一罚十
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SOT-89
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只做原装
NEC
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一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货
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原厂封装
9800
原装进口公司现货假一赔百

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