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PNP Epitaxial Planar Transistors

WEITRON

Plastic-Encapsulated Transistors

TRANSISTOR (PNP) FEATURES Power dissipation PCM: 0.2 W (Tamb=25℃) Collector current ICM: -0.7 A Collector-base voltage V(BR)CBO: -30 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃

TEL

丝印代码:BV*;Silicon Epitaxial Planar Transistor

FEATURES High DC current gain.hFE: 200TYP (VCE=-1.0V,IC=-100mA) Complimentary to the 2SD596. APPLICATIONS Audio frequency amplifier. Switching appilication.

BILIN

银河微电

PNP Silicon Epitaxial Transistor

■ Features ● High DC current gain. hFE:200 TYP.(VCE=-1V,IC=-100mA) ● Complimentary to 2SD596.

KEXIN

科信电子

PNP Silicon Plastic Encapsulated Transistor

FEATURES  High DC Current Gain. hFE:200 (Typ.) (VCE= -1V, IC= -100mA)  Complimentary to 2SD596

SECOS

喜可士

更新时间:2026-3-11 16:06:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NEC
00+
SOT-23
7336
全新 发货1-2天
长电
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SOT-23
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