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2SB17晶体管资料

  • 2SB17别名:2SB17三极管、2SB17晶体管、2SB17晶体三极管

  • 2SB17生产厂家:日本富士通公司

  • 2SB17制作材料:Ge-PNP

  • 2SB17性质:低频或音频放大 (LF)

  • 2SB17封装形式:直插封装

  • 2SB17极限工作电压:32V

  • 2SB17最大电流允许值:0.6A

  • 2SB17最大工作频率:<1MHZ或未知

  • 2SB17引脚数:2

  • 2SB17最大耗散功率:1.8W

  • 2SB17放大倍数

  • 2SB17图片代号:D-90

  • 2SB17vtest:32

  • 2SB17htest:999900

  • 2SB17atest:0.6

  • 2SB17wtest:1.8

  • 2SB17代换 2SB17用什么型号代替:AD162,AD262,2SB493,3AK51,

2SB17价格

参考价格:¥0.9751

型号:2SB1705TL 品牌:Rohm 备注:这里有2SB17多少钱,2026年最近7天走势,今日出价,今日竞价,2SB17批发/采购报价,2SB17行情走势销售排行榜,2SB17报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

Silicon PNP Power Transistor

DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -60V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 100(Min)@ IC= -0.5A ·Fast switching speed ·Large current capacity APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Driver stage amplifier applications

ISC

无锡固电

Silicon PNP Power Transistor

DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -60V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 100(Min)@ IC= -0.5A ·Fast switching speed ·Large current capacity APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Driver stage amplifier applications

ISC

无锡固电

Silicon PNP Power Transistor

DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -60V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 100(Min)@ IC= -0.5A ·Fast switching speed ·Large current capacity APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Driver stage amplifier applications

ISC

无锡固电

Silicon PNP Power Transistor

DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -60V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 100(Min)@ IC= -0.5A ·Fast switching speed ·Large current capacity APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Driver stage amplifier applications

ISC

无锡固电

Low VCE(sat) Transistor

根据市场需求,提供从超小型到功率型的封装,以节能高可靠性为开发理念的多种产品线。 Low VCE(sat)晶体管;

ROHM

罗姆

PNP Epitaxial Planar Silicon Darlington Transistor Driver Applications

PNP Epitaxial Planar Silicon Darlington Transistor Features • High DC current gain. • Wide ASO. • Low saturation voltage. • Adoption of MBIT process. Applications • Suitable for use in control motor drivers, printer hammer drivers, relay drivers, audio output and constant-voltage regulators

SANYO

三洋

Ge PNP Alloy Junction

文件:74.15 Kbytes Page:2 Pages

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Darlington Transistors

文件:35.83 Kbytes Page:4 Pages

SANYO

三洋

丝印代码:TL;Low frequency amplifier

文件:67.78 Kbytes Page:3 Pages

ROHM

罗姆

Low frequency amplifier

文件:74.75 Kbytes Page:3 Pages

ROHM

罗姆

Low frequency amplifier

文件:74.75 Kbytes Page:3 Pages

ROHM

罗姆

Low frequency amplifier

文件:62.12 Kbytes Page:3 Pages

ROHM

罗姆

LOW FREQUENCY AMPLIFIER

文件:69.57 Kbytes Page:3 Pages

ROHM

罗姆

Low frequency amplifier

文件:62.12 Kbytes Page:3 Pages

ROHM

罗姆

封装/外壳:SC-96 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述:TRANS PNP 30V 2A TSMT3 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

ROHM

罗姆

Low frequency amplifier

文件:72.92 Kbytes Page:3 Pages

ROHM

罗姆

Low frequency amplifier

文件:51.86 Kbytes Page:3 Pages

ROHM

罗姆

Low frequency amplifier

文件:72.92 Kbytes Page:3 Pages

ROHM

罗姆

Low frequency amplifier

文件:60.93 Kbytes Page:3 Pages

LITTELFUSE

力特

封装/外壳:SC-96 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述:TRANS PNP 12V 4A TSMT3 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

ROHM

罗姆

Low frequency amplifier

文件:67.76 Kbytes Page:3 Pages

ROHM

罗姆

Low frequency amplifier

文件:51.66 Kbytes Page:3 Pages

ROHM

罗姆

Low frequency amplifier

文件:74.08 Kbytes Page:3 Pages

ROHM

罗姆

Low frequency amplifier

文件:74.08 Kbytes Page:3 Pages

ROHM

罗姆

Low frequency amplifier

文件:67.76 Kbytes Page:3 Pages

ROHM

罗姆

Genera purpose amplification(−12V, −1.5A)

文件:109.56 Kbytes Page:3 Pages

ROHM

罗姆

丝印代码:EV;Genera purpose amplification(-12V, -1.5A)

文件:104.05 Kbytes Page:3 Pages

ROHM

罗姆

Genera purpose amplification(−12V, −1.5A)

文件:109.56 Kbytes Page:3 Pages

ROHM

罗姆

Ge PNP Alloy Junction

文件:74.15 Kbytes Page:2 Pages

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

丝印代码:EW;General purpose amplification (-30V, -1A)

文件:77.19 Kbytes Page:3 Pages

ROHM

罗姆

丝印代码:TL;General purpose amplification (−30V, −1A)

文件:112.06 Kbytes Page:3 Pages

ROHM

罗姆

General purpose amplification (−30V, −1A)

文件:112.06 Kbytes Page:3 Pages

ROHM

罗姆

General purpose amplification (??0V, ??A)

文件:74.74 Kbytes Page:3 Pages

LITTELFUSE

力特

丝印代码:XW;-3A / -12V Bipolar transistor

文件:100.63 Kbytes Page:3 Pages

ROHM

罗姆

丝印代码:XY;-2A / -30V Bipolar transistor

文件:102.3 Kbytes Page:3 Pages

ROHM

罗姆

GE PNP ALLOY JUNCTION

文件:39.89 Kbytes Page:1 Pages

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

Silicon Power Transistors

文件:155.47 Kbytes Page:6 Pages

NEC

瑞萨

Silicon Power Transistors

文件:155.47 Kbytes Page:6 Pages

NEC

瑞萨

Ge PNP Alloy Junction

文件:74.15 Kbytes Page:2 Pages

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

丝印代码:TL;General purpose amplification(-12V, -2A)

文件:68.38 Kbytes Page:3 Pages

ROHM

罗姆

丝印代码:FV;General purpose amplification(−12V, −2A)

文件:76.23 Kbytes Page:3 Pages

ROHM

罗姆

General purpose amplification(−12V, −2A)

文件:76.23 Kbytes Page:3 Pages

ROHM

罗姆

丝印代码:FL;Low frequency amplifier

文件:111.66 Kbytes Page:3 Pages

ROHM

罗姆

Low frequency amplifier

文件:74.67 Kbytes Page:3 Pages

ROHM

罗姆

Low frequency amplifier

文件:111.66 Kbytes Page:3 Pages

ROHM

罗姆

丝印代码:TL;Genera purpose amplification(-12V, -1.5A)

文件:102.73 Kbytes Page:3 Pages

ROHM

罗姆

丝印代码:EV;Genera purpose amplification(−12V, −1.5A)

文件:110.99 Kbytes Page:3 Pages

ROHM

罗姆

Genera purpose amplification(−12V, −1.5A)

文件:110.99 Kbytes Page:3 Pages

ROHM

罗姆

Genera purpose amplification(??2V, ??.5A)

文件:76.97 Kbytes Page:3 Pages

ROHM

罗姆

丝印代码:EW;General purpose amplification (−30V, −1A)

文件:113.03 Kbytes Page:3 Pages

ROHM

罗姆

丝印代码:TL;General purpose amplification (-30V, -1A)

文件:105.25 Kbytes Page:3 Pages

ROHM

罗姆

General purpose amplification (−30V, −1A)

文件:113.03 Kbytes Page:3 Pages

ROHM

罗姆

Silicon PNP epitaxial planar type

文件:54.33 Kbytes Page:2 Pages

PANASONIC

松下

PNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors Compact Motor Driver Applications

文件:54.22 Kbytes Page:5 Pages

SANYO

三洋

PNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors Compact Motor Driver Applications

ONSEMI

安森美半导体

Ge PNP Alloy Junction

文件:74.15 Kbytes Page:2 Pages

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

Ge PNP Alloy Junction

文件:74.15 Kbytes Page:2 Pages

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

Ge PNP Alloy Junction

文件:74.15 Kbytes Page:2 Pages

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

Driver Applications

ONSEMI

安森美半导体

Driver Applications

文件:54.67 Kbytes Page:4 Pages

SANYO

三洋

2SB17产品属性

  • 类型

    描述

  • 封装:

    TSMT3

  • 包装数量:

    3000

  • 最小独立包装数量:

    3000

  • 包装形态:

    Taping

  • RoHS:

    Yes

  • Package Code:

    SOT-346T

  • JEITA Package:

    SC-96

  • Number of terminal:

    3

  • Polarity:

    PNP

  • Collector Power dissipation PC[W]:

    0.5

  • Collector-Emitter voltage VCEO1[V]:

    -12

  • Collector current Io(Ic) [A]:

    -3

  • hFE:

    270 to 680

  • hFE (Min.):

    270

  • hFE (Max.):

    680

  • Mounting Style:

    Surface mount

  • Storage Temperature (Min.)[°C]:

    -55

  • Storage Temperature (Max.)[°C]:

    150

  • Package Size [mm]:

    2.9x2.8 (t=1)

更新时间:2026-5-14 19:39:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
MAT
专业铁帽
CAN3
67500
铁帽原装主营-可开原型号增税票
NEC
24+
CAN3
8858
公司原厂原装现货假一罚十!特价出售!强势库存!
ST
25+
CAN to-39
20000
原装,请咨询
ST
23+
CAN to-39
16900
正规渠道,只有原装!
ST
26+
CAN to-39
60000
只有原装 可配单
HIT
24+
TO-92
1635
NEC
22+
TO89-3
20000
公司只有原装 品质保证
SANYO
1816+
SOT23
3015
全新 发货1-2天
ST
2511
CAN to-39
16900
电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价
TO-252
25+
ROMH
20000
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可

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