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2SB1691	SiliconPNPEpitaxialPlanerLowFrequencyPowerAmplifier Features •Smallsizepackage:MPAK(SC–59A) •LargeMaximumcurrent:IC=–1A •Lowcollectortoemittersaturationvoltage:VCE(sat)=–0.3Vmax.(atIC/IB=–0.5A/–0.05A) •Highpowerdissipation:PC=800mW(whenusingaluminaceramicboard(25x60x0.7mm)) •Complementarypairwit	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
2SB1691	SiliconPNPEpitaxialPlanerLowFrequencyPowerAmplifier 文件：94.48 Kbytes Page：6 Pages	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
2SB1691WL	SiliconPNPEpitaxialPlanerLowFrequencyPowerAmplifier Features •Smallsizepackage:MPAK(SC–59A) •LargeMaximumcurrent:IC=–1A •Lowcollectortoemittersaturationvoltage:VCE(sat)=–0.3Vmax.(atIC/IB=–0.5A/–0.05A) •Highpowerdissipation:PC=800mW(whenusingaluminaceramicboard(25x60x0.7mm)) •Complementarypairwit	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
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2SB1691产品属性

类型
描述
型号
2SB1691
制造商
Renesas Electronics
功能描述
Cut Tape
制造商
Renesas Electronics Corporation
功能描述
PNP PWR Transistor,50V,1A,MPAK
制造商
Renesas
功能描述
Trans GP BJT PNP 50V 1A 3-Pin MPAK T/R

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更新时间：2024-5-25 18:06:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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2SA928AL-TO92NLB-Y-TG
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2SA812-T1B-A/S6 原装正品现货
支持实单价格优势有单必成
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www.jskj-ic.com
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2SB1386-P:PNP硅外延晶体管的特点如下：·低集电极饱和电压·Execllent电流增益特性·无铅完成/符合RoHS（“P”字后缀指定符合RoHS标准。见订购信息）·环氧符合UL94V-0阻燃等级·Moisure敏感度等级12SB1386-P/2SB1386-Q/2SB1386-R是微型商业组件公司的产品型号
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