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2SB1691WL-TL-E	SiliconPNPEpitaxialPlanerLowFrequencyPowerAmplifier 文件：94.48 Kbytes Page：6 Pages	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
2SB1691	SiliconPNPEpitaxialPlanerLowFrequencyPowerAmplifier Features •Smallsizepackage:MPAK(SC–59A) •LargeMaximumcurrent:IC=–1A •Lowcollectortoemittersaturationvoltage:VCE(sat)=–0.3Vmax.(atIC/IB=–0.5A/–0.05A) •Highpowerdissipation:PC=800mW(whenusingaluminaceramicboard(25x60x0.7mm)) •Complementarypairwit	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
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2SB1691WL-TL-H	SiliconPNPEpitaxialPlanerLowFrequencyPowerAmplifier 文件：94.48 Kbytes Page：6 Pages	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司

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更新时间：2024-6-17 14:56:00

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2SB562L-TO92NLK-B-TG_UTC代理商
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2023-3-14
2SB776L-TO252R-P-TG_UTC代理商
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2023-2-24
2SA928AL-TO92NLB-Y-TG
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2022-3-30
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2SB1386-P-PNP硅外延晶体管
2SB1386-P:PNP硅外延晶体管的特点如下：·低集电极饱和电压·Execllent电流增益特性·无铅完成/符合RoHS（“P”字后缀指定符合RoHS标准。见订购信息）·环氧符合UL94V-0阻燃等级·Moisure敏感度等级12SB1386-P/2SB1386-Q/2SB1386-R是微型商业组件公司的产品型号
2012-11-9