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芯片资料

型号	功能描述	生产厂家&企业	LOGO
2SB1561	Medium Power Transistor (-60V, -2A) Features 1) Low saturation voltage , typically VCE (sat)= −0.15V at IC/ IB= −1A / −50mA. 2) Collector-emitter voltage = −60V 3) Pc = 2W (on 40400.7mm ceramic board). 4) Complements the 2SD2391.	ROHM 罗姆	ROHM
2SB1561	Medium Power Transistor (−60V, −2A) 文件：175.55 Kbytes Page：3 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SB1561U	medium power transistor PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor Medium Power Transistor	Surge	Surge
2SB1561-Q	PNP Transistors 文件：334.45 Kbytes Page：3 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SB1561SQ	PNP Transistor 文件：359.6 Kbytes Page：3 Pages	PJSEMI 平晶半导体	PJSEMI

2SB1561-P供应商更多...

更新时间：2025-8-9 20:00:01

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市金芯世纪电子有限公司	2SB1561	ROHM/罗姆	22+	SOT89	100000	代理渠道/只做原装/可含税	询价
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中天科工半导体（深圳）有限公司	2SB1561	ROHM/罗姆	25+	SOT-89	20300	ROHM/罗姆原装特价2SB1561即刻询购立享优惠#长期有货	询价
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深圳市凯睿晟科技有限公司	2SB1561T100Q	ROHM/罗姆	21+	SOT-89-3	20000	百域芯优势实单必成可开13点增值税	询价

2SB562L-TO92NLK-B-TG_UTC代理商
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2023-3-14
2SB776L-TO252R-P-TG_UTC代理商
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2023-2-24
2SA928AL-TO92NLB-Y-TG
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2023-2-1
2SA812-T1B-A/S6 原装正品现货
支持实单价格优势有单必成
2022-3-30
2SB649 MOS
www.jskj-ic.com
2021-9-10
2SB1386-P-PNP硅外延晶体管
2SB1386-P :PNP硅外延晶体管的特点如下： ·低集电极饱和电压 ·Execllent电流增益特性 ·无铅完成/符合RoHS（“P”字后缀指定符合RoHS标准。见订购信息） ·环氧符合UL 94V -0阻燃等级 · Moisure敏感度等级1 2SB1386-P/2SB1386-Q/2SB1386-R 是微型商业组件公司的产品型号
2012-11-9