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2SB1481(TOJS,Q,M)	封装/外壳：TO-220-3 整包包装：散装描述：TRANS PNP 100V 4A TO220NIS 分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个	ETC 知名厂家	ETC
2SB1481	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220F package ·Complement to type 2SD2241 ·High DC current gain. ·Low saturation voltage. ·DARLINGTON APPLICATIONS ·For power amplifier applications	SAVANTIC	SAVANTIC
2SB1481	isc Silicon PNP Darlington Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -100V(Min) ·High DC Current Gain- : hFE= 2000(Min)@ (VCE= -2V, IC= -1.5A) ·Low Collector Saturation Voltage- : VCE(sat)= -1.5V(Max)@ (IC= -3A, IB= -6mA) B ·Complement to Type 2SD2241 APPLICATIONS ·H	ISC 无锡固电	ISC
2SB1481	Silicon PNP Darlington Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- :V(BR)cEo=-100V(Min) • High DC Current Gain- : hFE= 2000(Min)@ (VCE= -2V, lc= -1.5A) • Low Collector Saturation Voltage- : VCE(sat)= -1.5V(Max)@ (lc= -3A, IB= -6mA) • Complement to Type 2SD2241 APPLICATIONS • High power switching	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2SB1481	Silicon PNP Epitaxial Type 文件：137.89 Kbytes Page：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SB1481	Silicon PNP Power Transistors 文件：215.26 Kbytes Page：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC

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更新时间：2025-11-20 23:00:00

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2SB562L-TO92NLK-B-TG_UTC代理商
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2SB776L-TO252R-P-TG_UTC代理商
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2021-9-10
2SB1386-P-PNP硅外延晶体管
2SB1386-P :PNP硅外延晶体管的特点如下： ·低集电极饱和电压 ·Execllent电流增益特性 ·无铅完成/符合RoHS（“P”字后缀指定符合RoHS标准。见订购信息） ·环氧符合UL 94V -0阻燃等级 · Moisure敏感度等级1 2SB1386-P/2SB1386-Q/2SB1386-R 是微型商业组件公司的产品型号
2012-11-9