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2SB1481晶体管资料

2SB1481别名：2SB1481三极管、2SB1481晶体管、2SB1481晶体三极管
2SB1481生产厂家：
2SB1481制作材料：Si-P+Darl+Di
2SB1481性质：开关管（S）_功率放大（L）
2SB1481封装形式：直插封装
2SB1481极限工作电压：100V
2SB1481最大电流允许值：4A
2SB1481最大工作频率：<1MHZ或未知
2SB1481引脚数：3
2SB1481最大耗散功率：25W
2SB1481放大倍数：β>2000
2SB1481图片代号：B-10
2SB1481vtest：100
2SB1481htest：999900
2SB1481atest：4
2SB1481wtest：25

2SB1481代换 2SB1481用什么型号代替：BDT60BF,2SB1020,2SB1024,2SB1282,

型号	功能描述	生产厂家&企业	LOGO
2SB1481	TRANSISTOR(SWITCHINGAPPLICATIONS) SwitchingApplications •HighDCcurrentgain:hFE=2000(min)(VCE=−2V,IC=−1.5A) •Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=−1.5V(max)(IC=−3A) •Complementaryto2SD2241	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝
2SB1481	SiliconPNPPowerTransistors DESCRIPTION ·WithTO-220Fpackage ·Complementtotype2SD2241 ·HighDCcurrentgain. ·Lowsaturationvoltage. ·DARLINGTON APPLICATIONS ·Forpoweramplifierapplications	SAVANTIC Savantic, Inc.
2SB1481	iscSiliconPNPDarlingtonPowerTransistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=-100V(Min) ·HighDCCurrentGain- :hFE=2000(Min)@(VCE=-2V,IC=-1.5A) ·LowCollectorSaturationVoltage- :VCE(sat)=-1.5V(Max)@(IC=-3A,IB=-6mA)B ·ComplementtoType2SD2241 APPLICATIONS ·H	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
2SB1481	SiliconPNPDarlingtonPowerTransistor DESCRIPTION •Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)cEo=-100V(Min) •HighDCCurrentGain- :hFE=2000(Min)@(VCE=-2V,lc=-1.5A) •LowCollectorSaturationVoltage- :VCE(sat)=-1.5V(Max)@(lc=-3A,IB=-6mA) •ComplementtoType2SD2241 APPLICATIONS •Highpowerswitching	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司
2SB1481	SiliconPNPPowerTransistors 文件：215.26 Kbytes Page：3 Pages	SAVANTIC Savantic, Inc.
2SB1481	SiliconPNPEpitaxialType 文件：137.89 Kbytes Page：4 Pages	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝
2SB1481(TOJS,Q,M)	封装/外壳：TO-220-3 整包包装：散装描述：TRANS PNP 100V 4A TO220NIS 分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个	ETC 知名厂家	ETC
2SB1481_06	SiliconPNPEpitaxialType 文件：137.89 Kbytes Page：4 Pages	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝

2SB1481产品属性

类型
描述
型号
2SB1481
制造商
Toshiba
功能描述
PNP -100V -4A 2000 TO220NIS
制造商
Toshiba
功能描述
PNP -100V -4A 2000 TO220NIS Bulk
制造商
Toshiba America Electronic Components
功能描述
Semi, Bipolar, Transistor, PNP, Power, D

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更新时间：2025-6-2 13:01:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市安富世纪电子有限公司	2SB1481	TOSHIBA	23+	TO-220F	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市威雅利发展有限公司	2SB1481	TOSHIBA	07+	TO-220F	12300	一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力	询价
深圳市科恒伟业电子有限公司	2SB1481	TOS	1738+	TO-220F	8529	科恒伟业!只做原装正品,假一赔十!	询价
深圳市仟禧电子有限公司	2SB1483		22+		20000	保证原装正品,假一陪十	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	2SB1481	TOSHIBA/东芝	23+	TO-220F	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市一线半导体有限公司	2SB1481	PANASONIC	24+		30000		询价
深圳市正纳电子有限公司	2SB1481	TOSHIBA(东芝)	23+	NA	20094	正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持	询价
深圳市旺财半导体有限公司	2SB1481		23+	TO	20000	正品原装货价格低	询价
深圳市达恩科技有限公司	2SB1481(Q)	Toshiba	24+	NA	3000	进口原装正品优势供应	询价
深圳市利加科技有限公司	2SB1481	MAT	16+	TO-220	100000	全新原装现货	询价

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2SA928AL-TO92NLB-Y-TG
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2023-2-1
2SA812-T1B-A/S6 原装正品现货
支持实单价格优势有单必成
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2SB649 MOS
www.jskj-ic.com
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2SB1386-P-PNP硅外延晶体管
2SB1386-P:PNP硅外延晶体管的特点如下：·低集电极饱和电压·Execllent电流增益特性·无铅完成/符合RoHS（“P”字后缀指定符合RoHS标准。见订购信息）·环氧符合UL94V-0阻燃等级·Moisure敏感度等级12SB1386-P/2SB1386-Q/2SB1386-R是微型商业组件公司的产品型号
2012-11-9

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