2SB1481晶体管资料
2SB1481别名：2SB1481三极管、2SB1481晶体管、2SB1481晶体三极管
2SB1481生产厂家：
2SB1481制作材料：Si-P+Darl+Di
2SB1481性质：开关管 （S）_功率放大 （L）
2SB1481封装形式：直插封装
2SB1481极限工作电压：100V
2SB1481最大电流允许值：4A
2SB1481最大工作频率：<1MHZ或未知
2SB1481引脚数：3
2SB1481最大耗散功率：25W
2SB1481放大倍数：β>2000
2SB1481图片代号：B-10
2SB1481vtest：100
2SB1481htest：999900
- 2SB1481atest：4
2SB1481wtest：25
2SB1481代换 2SB1481用什么型号代替：BDT60BF,2SB1020,2SB1024,2SB1282,
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
2SB1481 | TRANSISTOR (SWITCHING APPLICATIONS) Switching Applications • High DC current gain: hFE = 2000 (min) (VCE = −2 V, IC = −1.5 A) • Low saturation voltage: VCE (sat) = −1.5 V (max) (IC = −3 A) • Complementary to 2SD2241 | TOSHIBA 东芝 |   | |
2SB1481 | Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220F package ·Complement to type 2SD2241 ·High DC current gain. ·Low saturation voltage. ·DARLINGTON APPLICATIONS ·For power amplifier applications | SAVANTIC | | |
2SB1481 | isc Silicon PNP Darlington Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -100V(Min) ·High DC Current Gain- : hFE= 2000(Min)@ (VCE= -2V, IC= -1.5A) ·Low Collector Saturation Voltage- : VCE(sat)= -1.5V(Max)@ (IC= -3A, IB= -6mA) B ·Complement to Type 2SD2241 APPLICATIONS ·H | ISC 无锡固电 | | |
2SB1481 | Silicon PNP Darlington Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- :V(BR)cEo=-100V(Min) • High DC Current Gain- : hFE= 2000(Min)@ (VCE= -2V, lc= -1.5A) • Low Collector Saturation Voltage- : VCE(sat)= -1.5V(Max)@ (lc= -3A, IB= -6mA) • Complement to Type 2SD2241 APPLICATIONS • High power switching | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司 | | |
2SB1481 | Silicon PNP Power Transistors 文件：215.26 Kbytes Page：3 Pages | SAVANTIC | | |
2SB1481 | Trans Darlington PNP 100V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220NIS | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司 | | |
2SB1481 | Silicon PNP Epitaxial Type 文件：137.89 Kbytes Page：4 Pages | TOSHIBA 东芝 | | |
封装/外壳：TO-220-3 整包 包装：散装 描述：TRANS PNP 100V 4A TO220NIS 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 | ETC 知名厂家 | ETC | | |
Silicon PNP Epitaxial Type 文件：137.89 Kbytes Page：4 Pages | TOSHIBA 东芝 | |
2SB1481产品属性
- 类型
描述
- Number of Elements per Chip：
1
- Minimum DC Current Gain：
1000@3A@2V
- Maximum Emitter Base Voltage：
5V
- Maximum Continuous DC Collector Current：
4A
- Maximum Collector Emitter Voltage：
100V
- Maximum Collector Base Voltage：
100V
- Maximum Base Emitter Saturation Voltage：
2@6mA@3AV
- Configuration：
Single
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TOSHIBA/东芝 |
25+ |
TO-220F |
45000 |
TOSHIBA/东芝全新现货2SB1481即刻询购立享优惠#长期有排单订 |
|||
TOSHIBA |
24+ |
TO-220F |
15000 |
只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718 |
|||
Toshiba |
24+ |
NA |
3000 |
进口原装正品优势供应 |
|||
TOSHIBA |
07+ |
TO-220F |
12300 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
TOSHIBA/东芝 |
25+ |
TO-220F |
10000 |
全新原装正品支持含税 |
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TOSHIBA(东芝) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
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PANASONIC |
24+ |
30000 |
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TOSHIBA |
18+ |
TO-220F |
6028 |
全新 发货1-2天 |
|||
TOSHIBA/东芝 |
26+ |
TO-220F |
43600 |
全新原装现货,假一赔十 |
|||
TOSHIBA |
24+/25+ |
90 |
原装正品现货库存价优 |
2SB1481规格书下载地址
2SB1481参数引脚图相关
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2021-9-102SB1386-P-PNP硅外延晶体管
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2012-11-9
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