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芯片资料

精确

型号	功能描述	生产厂家企业	LOGO
2SB1427	Power transistor (-20V, -2A) Features 1) Low saturation voltage, VCE : Max. −0.5V at IC/IB= −1A / −50mA. 2) Excellent DC current gain characteristics.	ROHM 罗姆	ROHM
2SB1427	Power Transistor ■ Features ● Low saturation voltage, ● Excellent DC current gain characteristics.	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SB1427	Power transistor (??0V, ??A) Features 1) Low saturation voltage, VCE : Max. −0.5V at IC/IB= −1A / −50mA. 2) Excellent DC current gain characteristics.	ROHM 罗姆	ROHM
2SB1427	PNP Transistors 文件：859.58 Kbytes Page：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SB1427	Power transistor (−20V, −2A) 文件：69.67 Kbytes Page：3 Pages	ROHM 罗姆	ROHM

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更新时间：2025-12-29 23:01:01

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市得捷芯城科技有限公司	2SB1427T100E	ROHM/罗姆	24+	NA/	1000	优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票	询价
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深圳市威雅利发展有限公司	2SB1427T100E	ROHM	1403+	SOT89	1886	一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力	询价
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深圳市富利微电子科技有限公司	2SB1427	ROHM/罗姆	24+	SOT-89	33500	全新进口原装现货,假一罚十	询价

2SB562L-TO92NLK-B-TG_UTC代理商
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2023-3-14
2SB776L-TO252R-P-TG_UTC代理商
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2023-2-24
2SA928AL-TO92NLB-Y-TG
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2023-2-1
2SA812-T1B-A/S6 原装正品现货
支持实单价格优势有单必成
2022-3-30
2SB649 MOS
www.jskj-ic.com
2021-9-10
2SB1386-P-PNP硅外延晶体管
2SB1386-P :PNP硅外延晶体管的特点如下： ·低集电极饱和电压 ·Execllent电流增益特性 ·无铅完成/符合RoHS（“P”字后缀指定符合RoHS标准。见订购信息） ·环氧符合UL 94V -0阻燃等级 · Moisure敏感度等级1 2SB1386-P/2SB1386-Q/2SB1386-R 是微型商业组件公司的产品型号
2012-11-9