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位置：首页 > IC中文资料第1569页 > 2SB137

2SB137晶体管资料

  • 2SB137别名：2SB137三极管、2SB137晶体管、2SB137晶体三极管

  • 2SB137生产厂家：日本三菱公司

  • 2SB137制作材料：Ge-PNP

  • 2SB137性质：低频或音频放大 （LF）_开关管 （S）_功率放大 （L

  • 2SB137封装形式：直插封装

  • 2SB137极限工作电压：30V

  • 2SB137最大电流允许值：5A

  • 2SB137最大工作频率：<1MHZ或未知

  • 2SB137引脚数：2

  • 2SB137最大耗散功率：30W

  • 2SB137放大倍数：

  • 2SB137图片代号：E-44

  • 2SB137vtest：30

  • 2SB137htest：999900

  • 2SB137atest：5

  • 2SB137wtest：30

  • 2SB137代换 2SB137用什么型号代替：AD149,AD166,AD167,AL102,AL103,2N1539,2N1544,2SB231,3AD56A,

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
2SB1370

TAPEDPOWERTRANSISTORPACKAGEFORUSEWITHANAUTOMATICPLACEMENTMACHINE

EpitaxialPlanarNPNSiliconTransistor TAPEDPOWERTRANSISTORPACKAGEFORUSEWITHANAUTOMATICPLACEMENTMACHINE)

ROHMRohm Semiconductor

罗姆罗姆半导体集团

ROHM
2SB1370

PowerTransistor(-60V,-3A)

EpitaxialPlanarNPNSiliconTransistor TAPEDPOWERTRANSISTORPACKAGEFORUSEWITHANAUTOMATICPLACEMENTMACHINE)

ROHMRohm Semiconductor

罗姆罗姆半导体集团

ROHM
2SB1370

SiliconPNPPowerTransistors

DESCRIPTION •WithTO-220Fapackage •PC=2W(Ta=25°C)/30W(TC=25°C) •Lowcollectorsaturationvoltage •Wideareaofsafeoperation

SAVANTIC

Savantic, Inc.

SAVANTIC
2SB1370

iscSiliconPNPPowerTransistor

DESCRIPTION •LowCollectorSaturationVoltage-:VCE(sat)=-0.3V(Typ.)@IC=-2A •GoodLinearityofhFE •WideAreaofSafeOperation APPLICATIONS •Designedforpowerswitchingapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
2SB1370

TO-220FPlastic-EncapsulateTransistors

TRANSISTOR(PNP) FEATURES ●BreakdownVoltageHigh ●ReverseCut-offCurrentSmall ●SaturationVoltageLow ●CollectorPowerdissipation PCM:2W(Tamb=25.) 30W(Tcase=25.)

JIANGSU

Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

JIANGSU
2SB1370

SiliconPNPPowerTransistor

DESCRIPTION •LowCollectorSaturationVoltage-:VCE(sat)=-0.3V(Typ.)@IC=-2A •GoodLinearityofhFE •WideAreaofSafeOperation APPLICATIONS •Designedforpowerswitchingapplications

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

NJSEMI
2SB1370

SiliconPNPtransistorinaTO-220FPlasticPackage.

Descriptions SiliconPNPtransistorinaTO-220FPlasticPackage. Features Lowsaturationvoltage,excellentDCcurrentgaincharacteristics. Applications Audiofrequencypoweramplifierapplications.

FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.

蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司

FOSHAN
2SB1371

SiliconPNPPowerTransistors

DESCRIPTION •WithTO-3PFapackage •Complementtotype2SD2064 •Hightransitionfrequency •SatisfactorylinearityofhFE APPLICATIONS •Forhighpoweramplification

JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.

泉州锦美泉州锦美电子有限公司

JMNIC
2SB1371

SiliconPNPPowerTransistors

DESCRIPTION •WithTO-3PFapackage •Complementtotype2SD2064 •Hightransitionfrequency •SatisfactorylinearityofhFE APPLICATIONS •Forhighpoweramplification

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
2SB1371

SiliconPNPPowerTransistors

DESCRIPTION •WithTO-3PFapackage •Complementtotype2SD2064 •Hightransitionfrequency •SatisfactorylinearityofhFE APPLICATIONS •Forhighpoweramplification

SAVANTIC

Savantic, Inc.

SAVANTIC
2SB1371

SiliconPNPtriplediffusionplanartype(Forhighpoweramplification)

SiliconPNPtriplediffusionplanartype Forhighpoweramplification Complementaryto2SD2064 ■Features ●SatisfactoryfowardcurrenttransferratiohFEvs.collectorcurrentICcharacteristics ●Wideareaofsafeoperation(ASO) ●HightransitionfrequencyfT ●Full-packpackagewhichca

PanasonicPanasonic Corporation

松下松下电器

Panasonic
2SB1371

SiliconPNPPowerTransistor

DESCRIPTION •Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEo=-120V(Min) •GoodLinearityofhFE •WideAreaofSafeOperation •ComplementtoType2SD2064 APPLICATIONS •Designedforhighpoweramplifications.

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

NJSEMI
2SB1373

SiliconPNPPowerTransistor

DESCRIPTION •Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=-160V(Min) •WideAreaofSafeOperation •ComplementtoType2SD2066 APPLICATIONS •Designedforhighpoweramplifications.

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

NJSEMI
2SB1373

iscSiliconPNPPowerTransistor

DESCRIPTION •Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=-160V(Min) •WideAreaofSafeOperation •ComplementtoType2SD2066 APPLICATIONS •Designedforhighpoweramplifications.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
2SB1373

SiliconPNPPowerTransistors

DESCRIPTION •WithTO-3PNpackage •Complementtotype2SD2066 •Wideareaofsafeoperation APPLICATIONS •Forhighpoweramplification

SAVANTIC

Savantic, Inc.

SAVANTIC
2SB1375

SiliconPNPPowerTransistors

DESCRIPTION •WithTO-220Fpackage •Complementtotype2SD2012 •Lowcollectorsaturationvoltage: VCE(SAT)=-1.5V(Max)atIC=-2A,IB=-0.2A •Collectorpowerdissipation: PC=25W(TC=25℃) APPLICATIONS •Audiofrequencypoweramplifier

JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.

泉州锦美泉州锦美电子有限公司

JMNIC
2SB1375

TRANSISTOR(AUDIOFREQUENCYPOWERAMPLIFIER)

AudioFrequencyPowerAmplifier •Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=−1.5V(max) (IC=−2A,IB=−0.2A) •Highpowerdissipation:PC=25W(Tc=25°C) •Collectormetal(fin)iscoveredwithmoldresin •Complementaryto2SD2012

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

TOSHIBA
2SB1375

SiliconPNPPowerTransistors

DESCRIPTION •WithTO-220Fpackage •Complementtotype2SD2012 •Lowcollectorsaturationvoltage: VCE(SAT)=-1.5V(Max)atIC=-2A,IB=-0.2A •Collectorpowerdissipation: PC=25W(TC=25℃) APPLICATIONS •Audiofrequencypoweramplifier

SAVANTIC

Savantic, Inc.

SAVANTIC
2SB1375

SiliconPNPPowerTransistors

DESCRIPTION •WithTO-220Fpackage •Complementtotype2SD2012 •Lowcollectorsaturationvoltage: VCE(SAT)=-1.5V(Max)atIC=-2A,IB=-0.2A •Collectorpowerdissipation: PC=25W(TC=25℃) APPLICATIONS •Audiofrequencypoweramplifier

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
2SB1375

TO-220-3LPlastic-EncapsulateTransistors

TRANSISTOR(PNP) FEATURES •HighPowerDissipation:PC=25W(TC=25℃) •Lowvoltage:VCE(sat)=-1.5V(Max)(IC=-2A,IB=-0.2A) •CollectorMetal(Fin)isCoverdwithMoldRegin •Complementaryto2SD2012

JIANGSU

Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

JIANGSU
2SB1375

SiliconPNPtransistorinaTO-220FPlasticPackage.

Descriptions SiliconPNPtransistorinaTO-220FPlasticPackage. Features LowVCE(sat),HighPC,complementarypairwith2SD2012. Applications Audiofrequencypoweramplifierapplications.

FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.

蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司

FOSHAN
2SB1375

SiliconPNPPowerTransistor

DESCRIPTION •Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=-60V(Min) •CollectorPowerDissipation- :Pc=25W@Tc=25°C •LowCollectorSaturationVoltage- :VCE(sat)--1.5V(Max)@(|c=-2A,IB=-0.2A) •ComplementtoType2SD2012 APPLICATIONS •Designedforaudiofrequencypo

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

NJSEMI
2SB1375

TO-220-3LPlastic-EncapsulateTransistors

FEATURES HighPowerDissipation:PC=25W(TC=25℃) Lowvoltage:VCE(sat)=-1.5V(Max)(IC=-2A,IB=-0.2A) CollectorMetal(Fin)isCoverdwithMoldRegin Complementaryto2SD2012

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶电子东莞市南晶电子有限公司

DGNJDZ
2SB1378

SiliconPNPepitaxialplanertype(Forlow-frequencypoweramplification)

Forlow-frequencypoweramplification Complementaryto2SD1996 ■Features ●LowcollectortoemittersaturationvoltageVCE(sat). ●Optimumforlow-voltageoperationandforconverters. ●Allowingsupplywiththeradialtaping.

PanasonicPanasonic Corporation

松下松下电器

Panasonic
2SB1370

iscSiliconPNPPowerTransistor

文件：359.12 Kbytes Page：2 Pages

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
2SB1370

siliconPNPPowerTransistors

文件：113.44 Kbytes Page：3 Pages

SAVANTIC

Savantic, Inc.

SAVANTIC
2SB1370_18

iscSiliconPNPPowerTransistor

文件：359.12 Kbytes Page：2 Pages

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
2SB1371

SiliconPNPPowerTransistors

文件：144.6 Kbytes Page：4 Pages

SAVANTIC

Savantic, Inc.

SAVANTIC
2SB1371_15

SiliconPNPPowerTransistors

文件：192.45 Kbytes Page：4 Pages

JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.

泉州锦美泉州锦美电子有限公司

JMNIC
2SB1371_2014

SiliconPNPPowerTransistors

文件：192.45 Kbytes Page：4 Pages

JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.

泉州锦美泉州锦美电子有限公司

JMNIC
2SB1372

SiliconPNPPowerTransistor

文件：126.98 Kbytes Page：2 Pages

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

NJSEMI
2SB1372_16

iscSiliconPNPPowerTransistor

文件：188.36 Kbytes Page：2 Pages

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
2SB1372_17

iscSiliconPNPPowerTransistor

文件：264.32 Kbytes Page：2 Pages

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
2SB1373

SiliconPNPPowerTransistors

文件：140.33 Kbytes Page：3 Pages

SAVANTIC

Savantic, Inc.

SAVANTIC
2SB1374

1.2WPACKAGEPOWERTAPEDTRANSISTORDESIGNEDFORUSEWITHANAUTOMATICPLACEMENTMECHINE

文件：88.13 Kbytes Page：2 Pages

ROHMRohm Semiconductor

罗姆罗姆半导体集团

ROHM
2SB1374

TRANSISTORSTO92LTO-92LSMRT

文件：195.39 Kbytes Page：2 Pages

ROHMRohm Semiconductor

罗姆罗姆半导体集团

ROHM
2SB1375

SiliconPNPTripleDiffusedType

文件：142.74 Kbytes Page：5 Pages

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

TOSHIBA
2SB1375

SiliconPNPPowerTransistors

文件：249.61 Kbytes Page：4 Pages

SAVANTIC

Savantic, Inc.

SAVANTIC
2SB1375,CLARIONF(M

封装/外壳：TO-220-3 整包 包装：散装 描述：TRANS PNP 60V 3A TO220NIS 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage
2SB1375_06

SiliconPNPTripleDiffusedType

文件：142.74 Kbytes Page：5 Pages

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

TOSHIBA
2SB1375_15

SiliconPNPPowerTransistors

文件：200.82 Kbytes Page：4 Pages

JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.

泉州锦美泉州锦美电子有限公司

JMNIC
2SB1375_2014

SiliconPNPPowerTransistors

文件：200.82 Kbytes Page：4 Pages

JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.

泉州锦美泉州锦美电子有限公司

JMNIC

2SB137产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SB137

  • 制造商

    Panasonic Industrial Company

  • 功能描述

    TRANSISTOR

2SB137供应商更多...

更新时间：2024-4-24 15:14:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司
2SB1379
2021+
5000
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详
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深圳市科恒伟业电子有限公司
2SB1381
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2SB1382
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2SB1381
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无锡固电半导体股份有限公司
2SB1381
isc
2024
TO-220F
10000
国产品牌isc,可替代原装
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深圳市振鑫微电子科技有限公司
2SB1381
TOSHIBA
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TOS
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深圳市向鸿伟业电子有限公司
2SB1382
SK
07+
TO3P
95
进口原装现货假一赔十
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司
2SB1381
HITACHI
23+
TO-TO-220F
12300
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询价

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    2023-3-14

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    2023-2-1

  • 2SA812-T1B-A/S6 原装正品现货

    支持实单价格优势有单必成

    2022-3-30

  • 2SB649 MOS

    www.jskj-ic.com

    2021-9-10

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    2SA2198，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

    2020-4-24

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    2012-11-9

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