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2SB1373	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -160V(Min) • Wide Area of Safe Operation • Complement to Type 2SD2066 APPLICATIONS • Designed for high power amplifications.	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2SB1373	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3PN package • Complement to type 2SD2066 • Wide area of safe operation APPLICATIONS • For high power amplification	SAVANTIC	SAVANTIC
2SB1373	Silicon PNP Power Transistors 文件：140.33 Kbytes Page：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC

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更新时间：2025-12-25 23:01:00

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2SB1386-P :PNP硅外延晶体管的特点如下： ·低集电极饱和电压 ·Execllent电流增益特性 ·无铅完成/符合RoHS（“P”字后缀指定符合RoHS标准。见订购信息） ·环氧符合UL 94V -0阻燃等级 · Moisure敏感度等级1 2SB1386-P/2SB1386-Q/2SB1386-R 是微型商业组件公司的产品型号
2012-11-9