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2SB1261Z晶体管资料

  • 2SB1261Z别名:2SB1261Z三极管、2SB1261Z晶体管、2SB1261Z晶体三极管

  • 2SB1261Z生产厂家:日本日电公司

  • 2SB1261Z制作材料:Si-PNP

  • 2SB1261Z性质:低频或音频放大 (LF)_开关管 (S)_功率放大 (L

  • 2SB1261Z封装形式:直插封装

  • 2SB1261Z极限工作电压:60V

  • 2SB1261Z最大电流允许值:3A

  • 2SB1261Z最大工作频率:50MHZ

  • 2SB1261Z引脚数:3

  • 2SB1261Z最大耗散功率:10W

  • 2SB1261Z放大倍数

  • 2SB1261Z图片代号:A-80

  • 2SB1261Zvtest:60

  • 2SB1261Zhtest:50000000

  • 2SB1261Zatest:3

  • 2SB1261Zwtest:10

  • 2SB1261Z代换 2SB1261Z用什么型号代替:2SB906,2SB1184,2SB1202,

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR MP-3

DESCRIPTION The 2SB1261-Z is designed for Audio Frequency Amplifier and Switching, especially in Hybrid Integrated Circuits. FEATURES • High hFEhFE= 100 to 400 • Low VCE(sat) VCE(sat) ≤0.3 V

NEC

瑞萨

Plastic-Encapsulate Transistors

TRANSISTOR (PNP) FEATURES Power dissipation PCM: 2 W (Tamb=25℃) Collector current ICM: -3 A Collector-base voltage V(BR)CBO: -60 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃

TEL

PNP Silicon Epitaxial Transistor

■ Features ● High hFE hFE = 100 to 400 ● Low VCE(sat) VCE(sat) ≤ 0.3 V

KEXIN

科信电子

Low Collector Saturation Voltage

文件:97.46 Kbytes Page:2 Pages

ISC

无锡固电

SILICON POWER TRANSISTOR

文件:1.4266 Mbytes Page:7 Pages

RENESAS

瑞萨

更新时间:2026-5-15 18:39:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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