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2SB1261晶体管资料
2SB1261别名：2SB1261三极管、2SB1261晶体管、2SB1261晶体三极管
2SB1261生产厂家：日本日电公司
2SB1261制作材料：Si-PNP
2SB1261性质：低频或音频放大 （LF）_开关管 （S）_功率放大 （L
2SB1261封装形式：直插封装
2SB1261极限工作电压：60V
2SB1261最大电流允许值：3A
2SB1261最大工作频率：<1MHZ或未知
2SB1261引脚数：3
2SB1261最大耗散功率：10W
2SB1261放大倍数：
2SB1261图片代号：A-77
2SB1261vtest：60
2SB1261htest：999900
- 2SB1261atest：3
2SB1261wtest：10
2SB1261代换 2SB1261用什么型号代替：2SB906,2SB1172,2SB1184,2SB1202,
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
2SB1261 | TO-252-2L Plastic-Encapsulate Transistors 文件：918.32 Kbytes Page：4 Pages | JIANGSU 长电科技 |   | |
2SB1261 | PNP Silicon Epitaxial Transistors 文件：579.65 Kbytes Page：3 Pages | MCC | | |
2SB1261 | Silicon PNP transistor in a TO-252 Plastic Package. 文件：866.8 Kbytes Page：6 Pages | FOSHAN 蓝箭电子 | | |
2SB1261 | 晶体管 | JSCJ 长晶科技 | | |
2SB1261 | Bipolar Power Transistors | RENESAS 瑞萨 | | |
isc Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • Low Collector Saturation Voltage • High Power Dissipation- : PC= 10W(Max)@TC=25℃ • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS • Designed for use in audio amplifier and switching, especially in hybrid integrated cir | ISC 无锡固电 | | ||
PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR MP-3 DESCRIPTION The 2SB1261-Z is designed for Audio Frequency Amplifier and Switching, especially in Hybrid Integrated Circuits. FEATURES • High hFEhFE= 100 to 400 • Low VCE(sat) VCE(sat) ≤0.3 V | NEC 瑞萨 | | ||
Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (PNP) FEATURES Power dissipation PCM: 2 W (Tamb=25℃) Collector current ICM: -3 A Collector-base voltage V(BR)CBO: -60 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃ | TEL | | ||
PNP Silicon Epitaxial Transistor ■ Features ● High hFE hFE = 100 to 400 ● Low VCE(sat) VCE(sat) ≤ 0.3 V | KEXIN 科信电子 | | ||
isc Silicon PNP Power Transistors 文件：271.87 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | | ||
Low Collector Saturation Voltage 文件：97.46 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | | ||
Silicon PNP transistor in a TO-126F Plastic Package. 文件：833.79 Kbytes Page：6 Pages | FOSHAN 蓝箭电子 | | ||
封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 包装：卷带（TR） 描述：TRANS PNP 60V 3A DPAK 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 | MCC | | ||
Bipolar Power Transistors | RENESAS 瑞萨 | | ||
SILICON POWER TRANSISTOR 文件：1.4266 Mbytes Page：7 Pages | RENESAS 瑞萨 | | ||
PNP Transistors 文件：1.08372 Mbytes Page：3 Pages | KEXIN 科信电子 | | ||
PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 文件：1.4266 Mbytes Page：7 Pages | RENESAS 瑞萨 | | ||
PNP Transistors 文件：1.08372 Mbytes Page：3 Pages | KEXIN 科信电子 | | ||
PNP Transistors 文件：1.08372 Mbytes Page：3 Pages | KEXIN 科信电子 | | ||
PNP Transistors 文件：1.08372 Mbytes Page：3 Pages | KEXIN 科信电子 | |
2SB1261产品属性
- 类型
描述
- 型号
2SB1261
- 制造商
Renesas Electronics
- 功能描述
Cut Tape
- 制造商
Renesas Electronics Corporation
- 功能描述
PNP PWR Transistor,60V,3.0A,TO-252
- 制造商
Renesas
- 功能描述
Trans GP BJT PNP 60V 3A 3-Pin(2+Tab) TO-252
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEC |
24+ |
NA/ |
10750 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
|||
NEC |
2016+ |
TO252 |
6000 |
公司只做原装,假一罚十,可开17%增值税发票! |
|||
NEC |
23+ |
TO252 |
20000 |
全新原装假一赔十 |
|||
NEC |
07+ |
TO252 |
2000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
NEC |
24+ |
TO252 |
37500 |
原装正品现货,价格有优势! |
|||
RENESAS/瑞萨 |
25+ |
TO-252 |
32000 |
RENESAS/瑞萨全新特价2SB1261-Z-E1-AZ即刻询购立享优惠#长期有货 |
|||
NEC |
22+ |
SOT252 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
|||
国产 |
25+ |
TO252 |
54648 |
百分百原装现货 实单必成 欢迎询价 |
|||
NEC |
24+ |
TO252 |
20000 |
全新原厂原装，进口正品现货，正规渠道可含税！！ |
|||
Slkor/萨科微 |
24+ |
TO-252 |
50000 |
Slkor/萨科微一级代理,价格优势 |
2SB1261规格书下载地址
2SB1261参数引脚图相关
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- 485接口
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- 3q1
- 3g汽车
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- 35001
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- 2sc4226
- 2SB1289
- 2SB1288
- 2SB1287
- 2SB1286
- 2SB1285
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- 2SB1283
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- 2SB1278
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- 2SB1275(F5)
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- 2SB1266
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- 2SB1264
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2023-3-142SA928AL-TO92NLB-Y-TG
2SA928AL-TO92NLB-Y-TG
2023-2-12SA812-T1B-A/S6 原装正品现货
支持实单 价格优势 有单必成
2022-3-302SB649 MOS
www.jskj-ic.com
2021-9-102SA2198
2SA2198，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2020-4-242SB1386-P-PNP硅外延晶体管
2SB1386-P :PNP硅外延晶体管的特点如下： ·低集电极饱和电压 ·Execllent电流增益特性 ·无铅完成/符合RoHS（“P”字后缀指定符合RoHS标准。见订购信息） ·环氧符合UL 94V -0阻燃等级 · Moisure敏感度等级1 2SB1386-P/2SB1386-Q/2SB1386-R 是微型商业组件公司的产品型号
2012-11-9
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