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芯片资料

型号	功能描述	生产厂家&企业
2SB1260	Power Transistor Features 1) High breakdown voltage and high current. BVCEO= −80V, IC=−1A 2) Good hFE linearity. 3) Low VCE(sat). 4) Complements the 2SD1898 / 2SD1863 / 2SD1733.	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团
2SB1260	PNP Plastic-Encapsulate Transistor PNP Plastic-Encapsulate Transistor P/b Lead(Pb)-Free	WEITRON Weitron Technology
2SB1260	POWER TRANSISTOR POWER TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC 2SB1260 is a epitaxial planar type PNP silicon transistor. FEATURES * High breakdown voltage and high current. BVCEO= -80V, IC= -1A * Good hFE linearity. * Low VCE(SAT)	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司
2SB1260	Plastic-Encapsulated Transistors TRANSISTOR (PNP) FEATURES Power dissipation PCM: 0.5 W (Tamb=25℃) Collector current ICM: -1 A Collector-base voltage V(BR)CBO: -80 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃	TELTokyo Electron Ltd. 东电电子东京电子有限公司
2SB1260	Power Transistor (−80V, −1A) 文件：97.68 Kbytes Page：4 Pages	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团

2SB1260R供应商更多...

更新时间：2025-8-5 23:01:01

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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2SB562L-TO92NLK-B-TG_UTC代理商
2SB562L-TO92NLK-B-TG_UTC代理商
2023-3-14
2SA928AL-TO92NLB-Y-TG
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2023-2-1
2SA812-T1B-A/S6 原装正品现货
支持实单价格优势有单必成
2022-3-30
2SB649 MOS
www.jskj-ic.com
2021-9-10
2SA2198
2SA2198，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2020-4-24
2SB1386-P-PNP硅外延晶体管
2SB1386-P :PNP硅外延晶体管的特点如下： ·低集电极饱和电压 ·Execllent电流增益特性 ·无铅完成/符合RoHS（“P”字后缀指定符合RoHS标准。见订购信息） ·环氧符合UL 94V -0阻燃等级 · Moisure敏感度等级1 2SB1386-P/2SB1386-Q/2SB1386-R 是微型商业组件公司的产品型号
2012-11-9