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2SB1201晶体管资料

  • 2SB1201别名：2SB1201三极管、2SB1201晶体管、2SB1201晶体三极管

  • 2SB1201生产厂家：日本三洋公司

  • 2SB1201制作材料：Si-PNP

  • 2SB1201性质：开关管 （S）_功率放大 （L）

  • 2SB1201封装形式：直插封装

  • 2SB1201极限工作电压：60V

  • 2SB1201最大电流允许值：2A

  • 2SB1201最大工作频率：150MHZ

  • 2SB1201引脚数：3

  • 2SB1201最大耗散功率：15W

  • 2SB1201放大倍数：

  • 2SB1201图片代号：A-80

  • 2SB1201vtest：60

  • 2SB1201htest：150000000

  • 2SB1201atest：2

  • 2SB1201wtest：15

  • 2SB1201代换 2SB1201用什么型号代替：2SA1241,2SB928,2SB1184,

2SB1201价格

参考价格：￥1.2588

型号：2SB1201S-E 品牌：ON 备注：这里有2SB1201多少钱，2026年最近7天走势，今日出价，今日竞价，2SB1201批发/采购报价，2SB1201行情走势销售排行榜，2SB1201报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
2SB1201

High-Current Switching Applications

■ Features ● Low collector-to-emitter saturation voltage. ● Fast switching speed. ● Large current capacity and wide ASO. ● Complementary to 2SD1801

KEXIN

科信电子

2SB1201

High-Current Switching Applications

Features · Adoption of FBET, MBIT processes. · Large current capacity and wide ASO. · Low collector-to-emitter saturation voltage. · Fast switching speed. · Small and slim package making it easy to make 2SB1201/2SD1801-used sets smaller. Applications · Voltage regulators, relay drivers, lam

SANYO

三洋

2SB1201

isc Silicon PNP Power Transistor

DESCRIPTION • Large current capacitance and wide ASO • Small and slim package making it easy to make 2SB1201/2SD1801-used set smaller • Low collector-to-emitter saturation voltage • Fast switching speed • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and

ISC

无锡固电

2SB1201

Bipolar Transistor (-)50V, (-)2A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single TP/TP-FA

Bipolar Transistor (–)50V, (–)2A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single TP/TP-FA Features • Adoption of FBET, MBIT processes • Large current capacitance and wide ASO • Low collector-to-emitter saturation voltage • Fast switching speed • Small and slim package making it easy to make 2SB1201/2SD1801-

ONSEMI

安森美半导体

2SB1201

isc Silicon PNP Power Transistor

DESCRIPTION ·Low Collector Saturation Voltage- : VCE(sat)= -0.7V(Max)@IC= -1A ·Good Linearity of hFE ·Large Collector Current IC ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ·Designed for power switching applications

ISC

无锡固电

2SB1201

isc Silicon PNP Power Transistor

DESCRIPTION ·Low Collector Saturation Voltage- : VCE(sat)= -0.7V(Max)@IC= -1A ·Good Linearity of hFE ·Large Collector Current IC ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ·Designed for power switching applications

ISC

无锡固电

2SB1201

双极晶体管，-50V，-2A，低饱和压，(PNP)NPN 单 TP/TP-FA

2SB1201 is a Bipolar Transistor, -50V, -2A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single TP/TP-FA for High-Current Switching Application. • Adoption of FBET, MBIT processes\n• Large current capacitance and wide ASO\n• Low collector-to-emitter saturation voltage\n• Fast switching speed\n• Small and slim package making it easy to make 2SB1201/2SD1801-used sets smaller;

ONSEMI

安森美半导体

2SB1201-251

isc Silicon PNP Power Transistor

DESCRIPTION ·Low Collector Saturation Voltage- : VCE(sat)= -0.7V(Max)@IC= -1A ·Good Linearity of hFE ·Large Collector Current IC ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ·Designed for power switching applications

ISC

无锡固电

2SB1201-252

isc Silicon PNP Power Transistor

DESCRIPTION ·Low Collector Saturation Voltage- : VCE(sat)= -0.7V(Max)@IC= -1A ·Good Linearity of hFE ·Large Collector Current IC ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ·Designed for power switching applications

ISC

无锡固电

2SB1201S-E

Bipolar Transistor (-)50V, (-)2A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single TP/TP-FA

Bipolar Transistor (–)50V, (–)2A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single TP/TP-FA Features • Adoption of FBET, MBIT processes • Large current capacitance and wide ASO • Low collector-to-emitter saturation voltage • Fast switching speed • Small and slim package making it easy to make 2SB1201/2SD1801-

ONSEMI

安森美半导体

2SB1201S-E

isc Silicon PNP Power Transistor

DESCRIPTION ·Low Collector Saturation Voltage- : VCE(sat)= -0.4V(Max)@IC= -1A ·Good Linearity of hFE ·Large Collector Current IC ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ·Designed for power switching applications

ISC

无锡固电

2SB1201S-TL-E

Bipolar Transistor (-)50V, (-)2A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single TP/TP-FA

Bipolar Transistor (–)50V, (–)2A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single TP/TP-FA Features • Adoption of FBET, MBIT processes • Large current capacitance and wide ASO • Low collector-to-emitter saturation voltage • Fast switching speed • Small and slim package making it easy to make 2SB1201/2SD1801-

ONSEMI

安森美半导体

2SB1201T-E

Bipolar Transistor (-)50V, (-)2A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single TP/TP-FA

Bipolar Transistor (–)50V, (–)2A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single TP/TP-FA Features • Adoption of FBET, MBIT processes • Large current capacitance and wide ASO • Low collector-to-emitter saturation voltage • Fast switching speed • Small and slim package making it easy to make 2SB1201/2SD1801-

ONSEMI

安森美半导体

2SB1201T-TL-E

Bipolar Transistor (-)50V, (-)2A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single TP/TP-FA

Bipolar Transistor (–)50V, (–)2A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single TP/TP-FA Features • Adoption of FBET, MBIT processes • Large current capacitance and wide ASO • Low collector-to-emitter saturation voltage • Fast switching speed • Small and slim package making it easy to make 2SB1201/2SD1801-

ONSEMI

安森美半导体

2SB1201_15

PNP Transistors

文件：1.5914 Mbytes Page：3 Pages

KEXIN

科信电子

2SB1201-R

PNP Transistors

文件：1.5914 Mbytes Page：3 Pages

KEXIN

科信电子

2SB1201-S

PNP Transistors

文件：1.5914 Mbytes Page：3 Pages

KEXIN

科信电子

2SB1201S-TL-E

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：TRANS PNP 50V 2A TP-FA 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

ONSEMI

安森美半导体

2SB1201-T

PNP Transistors

文件：1.5914 Mbytes Page：3 Pages

KEXIN

科信电子

2SB1201T-E

封装/外壳：TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：TRANS PNP 50V 2A TP 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

ONSEMI

安森美半导体

2SB1201-U

PNP Transistors

文件：1.5914 Mbytes Page：3 Pages

KEXIN

科信电子

2SB1201产品属性

  • 类型

    描述

  • Pb-free：

    Pb

  • Status：

    Active

  • Polarity：

    PNP

  • Type：

    Low VCE(sat)

  • VCE(sat) Max (V)：

    0.7

  • IC Cont. (A)：

    2

  • VCEO Min (V)：

    50

  • VCBO (V)：

    60

  • VEBO (V)：

    6

  • VBE(sat) (V)：

    0.9

  • hFE Min：

    140

  • hFE Max：

    280

  • fT Min (MHz)：

    150

  • PTM Max (W)：

    0.8

  • Package Type：

    DPAK-3/TO-252-3

2SB1201供应商更多...

更新时间：2026-5-14 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市得捷芯城科技有限公司
2SB1201S-TL-E
onsemi(安森美)
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TP-FA
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深圳市振宏微科技有限公司
2SB1201S-TL,LTC014EMFS8T2L,HZF6.8BPTL
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深圳市一线半导体有限公司
2SB1201T
SANYO
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2SB1201芯片相关品牌

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2SB1201参数引脚图相关

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    2SB562L-TO92NLK-B-TG_UTC代理商

    2023-3-14

  • 2SA928AL-TO92NLB-Y-TG

    2SA928AL-TO92NLB-Y-TG

    2023-2-1

  • 2SA812-T1B-A/S6 原装正品现货

    支持实单 价格优势 有单必成

    2022-3-30

  • 2SB649 MOS

    www.jskj-ic.com

    2021-9-10

  • 2SA2198

    2SA2198，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

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  • 2SB1386-P-PNP硅外延晶体管

    2SB1386-P :PNP硅外延晶体管的特点如下： ·低集电极饱和电压 ·Execllent电流增益特性 ·无铅完成/符合RoHS（“P”字后缀指定符合RoHS标准。见订购信息） ·环氧符合UL 94V -0阻燃等级 · Moisure敏感度等级1 2SB1386-P/2SB1386-Q/2SB1386-R 是微型商业组件公司的产品型号

    2012-11-9

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