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2SB1201-251

isc Silicon PNP Power Transistor

DESCRIPTION ·Low Collector Saturation Voltage- : VCE(sat)= -0.7V(Max)@IC= -1A ·Good Linearity of hFE ·Large Collector Current IC ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ·Designed for power switching applications

ISC

无锡固电

更新时间:2026-1-2 14:16:00
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