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PNP Plastic-Encapsulate Transistors

PNP Plastic-Encapsulate Transistors P/b Lead(Pb)-Free

WEITRON

MEDIUM POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION The UTC 2SB1132is a epitaxial planar type PNP silicon transistor. FEATURES * Low VCE(SAT). VCE(SAT) = -0.2V(Typ.) (IC/IB= -500mA/-50mA)

UTC

友顺

Plastic-Encapsulated Transistors

TRANSISTOR (PNP) FEATURES Power dissipation PCM: 0.5 W (Tamb=25℃) Collector current ICM: -1 A Collector-base voltage V(BR)CBO: -40 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃

TEL

东电电子

PNP Silicon Medium Power Transistor

FEATURES • Low power dissipation 0.5W

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

Medium Power Transistor

Features ● Low VCE(sat) ● Compliments to 2SD1664

KEXIN

科信电子

更新时间:2025-8-6 22:58:01
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