| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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2SB1132R | GENERAL PURPOSE TRANSISTOR 文件：463.31 Kbytes Page：6 Pages | AITSEMI 创瑞科技 |   | |
2SB1132R | GENERAL PURPOSE TRANSISTORS | AITSEMI 创瑞科技 | | |
Plastic-Encapsulated Transistors TRANSISTOR (PNP) FEATURES Power dissipation PCM: 0.5 W (Tamb=25℃) Collector current ICM: -1 A Collector-base voltage V(BR)CBO: -40 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃ | TEL | | ||
MEDIUM POWER TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC 2SB1132is a epitaxial planar type PNP silicon transistor. FEATURES * Low VCE(SAT). VCE(SAT) = -0.2V(Typ.) (IC/IB= -500mA/-50mA) | UTC 友顺 | | ||
PNP Plastic-Encapsulate Transistors PNP Plastic-Encapsulate Transistors P/b Lead(Pb)-Free | WEITRON | | ||
Medium Power Transistor Features ● Low VCE(sat) ● Compliments to 2SD1664 | KEXIN 科信电子 | | ||
PNP Silicon Medium Power Transistor FEATURES • Low power dissipation 0.5W | SECOS 喜可士 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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24+ |
N/A |
56000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
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Sipusemi |
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SHIKUES(时科) |
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ROHM |
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SOT89 |
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SHIKUES(时科) |
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三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT) |
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2022-3-302SB649 MOS
www.jskj-ic.com
2021-9-102SA2198
2SA2198，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2020-4-242SB1386-P-PNP硅外延晶体管
2SB1386-P :PNP硅外延晶体管的特点如下： ·低集电极饱和电压 ·Execllent电流增益特性 ·无铅完成/符合RoHS（“P”字后缀指定符合RoHS标准。见订购信息） ·环氧符合UL 94V -0阻燃等级 · Moisure敏感度等级1 2SB1386-P/2SB1386-Q/2SB1386-R 是微型商业组件公司的产品型号
2012-11-9
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