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PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD

DESCRIPTION 2SB1115, 2SB1115A are designed for audio frequency power amplifier and switching application, especially in Hybrid Integrated Circuit. FEATURES ● World Standard Miniature Package ● Low VCE(sat): VCE(sat) = -0.2 V at 1 A ● Complement to 2SD1615, 2SD1615A

NEC

瑞萨

PNP Silicon Epitaxial Transistor

■ Features ● Low VCE(sat) VCE(sat)=-0.2V at 1A ● Complementary to 2SD1615

KEXIN

科信电子

World standard miniature package

FEATURES World Standard Miniature Package Low VCE(sat): VCE(sat) = -0.2V at 1 A

SKTECHNOLGYSHIKE Electronics

时科广东时科微实业有限公司

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RENESAS

瑞萨

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RENESAS

瑞萨

更新时间:2025-12-29 11:12:01
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  • 2SB649 MOS

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