| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
Silicon PNP Epitaxial * Low frequency amplifier * Collector to base voltage VCBO : –55 V * Collector to emitter voltage VCEO : –55 V * Emitter to base voltage VEBO : –5 V * Collector current IC : –100 mA * Emitter current IE : 100 mA * Collector power dissipation PC : 300 mW | HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司 |   | ||
Silicon PNP Epitaxial 文件：161.55 Kbytes Page：5 Pages | RENESAS 瑞萨 | | ||
PNP Plastic Encapsulated Transistor 文件：83.47 Kbytes Page：1 Pages | SECOS 喜可士 | | ||
Silicon PNP transistor in a TO-92 Plastic Package 文件：770.27 Kbytes Page：6 Pages | FOSHAN 蓝箭电子 | | ||
Plastic-Encapsulated Transistors 文件：66.57 Kbytes Page：1 Pages | TEL | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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2022-4-152SA812-T1B-A/S6 原装正品现货
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2020-4-242SB1386-P-PNP硅外延晶体管
2SB1386-P :PNP硅外延晶体管的特点如下： ·低集电极饱和电压 ·Execllent电流增益特性 ·无铅完成/符合RoHS（“P”字后缀指定符合RoHS标准。见订购信息） ·环氧符合UL 94V -0阻燃等级 · Moisure敏感度等级1 2SB1386-P/2SB1386-Q/2SB1386-R 是微型商业组件公司的产品型号
2012-11-9
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