| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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2SA733T-L | LowFrequencyAmplifierPNPEpitaxialSiliconTransistor 文件：959.85 Kbytes Page：7 Pages | FUTUREWAFER FutureWafer Tech Co.,Ltd |  |   |
PNPSILICONTRANSISTOR DESCRIPTION The2SA733isdesignedforuseindriverstateofAFamplifier. FEATURES ●HighhFEandExcellentLinearity:200TYP. hFE(VCE=-6.0V,IC=-1.0mA) | NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社 |  | | |
TECHNICALSPECIFICATIONSOFPNPEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Description DesignedforuseindriverstageofAFamplifierapplicatioms. | DCCOM Dc Components |  | | |
TO-92Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES Powerdissipation | DAYADaya Electric Group Co., Ltd. 大亚电器集团大亚电器集团有限公司 |  | | |
PNPPlasticEncapsulatedTransistor FEATURES •Complementaryofthe2SC945 •Collectortobasevoltage:-60V | SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司 |  | | |
LOWFREQUENCYAMPLIFIERPNPEPITAXIALSILICONTRANSISTOR 文件：175.57 Kbytes Page：4 Pages | UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司 |  | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEC |
24+ |
NA/ |
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2020-4-242SB1386-P-PNP硅外延晶体管
2SB1386-P:PNP硅外延晶体管的特点如下：·低集电极饱和电压·Execllent电流增益特性·无铅完成/符合RoHS（“P”字后缀指定符合RoHS标准。见订购信息）·环氧符合UL94V-0阻燃等级·Moisure敏感度等级12SB1386-P/2SB1386-Q/2SB1386-R是微型商业组件公司的产品型号
2012-11-9
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