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PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR MICROWAVE AMPLIFIER

FEATURES • High fT fT = 5.5 GHz TYP. • | S21e | 2 = 10.0 dB TYP. @f = 1.0 GHz, VCE = −10 V, IC = −15 mA • High speed switching characteristics • Equivalent NPN transistor is the 2SC2351. • Alternative of the 2SA1424.

NEC

瑞萨

PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

FEATURES • High fT fT = 5.5 GHz TYP. • | S21e | 2 = 10.0 dB TYP. @f = 1.0 GHz, VCE = −10 V, IC = −15 mA • High speed switching characteristics • Equivalent NPN transistor is the NE02133 / 2SC2351. • Alternative of the 2SA1424.

CEL

PNP Eitaxial Silicon Transistor

Features ● High fT (fT=5.5GHz TYP). ● High gain |S21e|2 =10.0dB TYP.@f=1.0GHz,Vce=-10V,Ic=-15mA ● High-speed switching characterstics

KEXIN

科信电子

PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR MICROWAVE AMPLIFIER

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RENESAS

瑞萨

2SA1978-FB产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SA1978-FB

  • 制造商

    Renesas Electronics Corporation

更新时间:2025-12-25 20:00:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS/瑞萨
23+
SOT-23
100586
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费!
NEC
24+
SOT23-3
880000
明嘉莱只做原装正品现货
RENESAS/瑞萨
22+
SOT-23
20000
只做原装
NEC
新年份
SOT-23
15000
原装正品大量现货,要多可发货,实单带接受价来谈!
RENESAS/瑞萨
25+
SOT-23
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2025+
SOT-23
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NEC
24+
SOT-23
13490
新进库存/原装

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