2SA1977晶体管资料

  • 2SA1977别名:2SA1977三极管、2SA1977晶体管、2SA1977晶体三极管

  • 2SA1977生产厂家

  • 2SA1977制作材料:Si-PNP

  • 2SA1977性质:表面帖装型 (SMD)_高速开关 (SS)_超高频/特高频

  • 2SA1977封装形式:贴片封装

  • 2SA1977极限工作电压:20V

  • 2SA1977最大电流允许值:0.05A

  • 2SA1977最大工作频率:>6GHZ

  • 2SA1977引脚数:3

  • 2SA1977最大耗散功率

  • 2SA1977放大倍数

  • 2SA1977图片代号:H-15

  • 2SA1977vtest:20

  • 2SA1977htest:6000100000

  • 2SA1977atest:0.05

  • 2SA1977wtest:0

  • 2SA1977代换 2SA1977用什么型号代替

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
2SA1977

PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR MICROWAVE AMPLIFIER

FEATURES • High fT fT = 8.5 GHz TYP. • High gain | S21e | 2 = 12.0 dB TYP. @f = 1.0 GHz, VCE = −8 V, IC = −20 mA • High-speed switching characterstics • Equivalent NPN transistor is the 2SC3583.

NEC

瑞萨

2SA1977

PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

FEATURES • High fT fT = 8.5 GHz TYP. • High gain | S21e | 2 = 12.0 dB TYP. @f = 1.0 GHz, VCE = −8 V, IC = −20 mA • High-speed switching characterstics • Equivalent NPN transistor is the NE68133 / 2SC3583.

CEL

2SA1977

PNP Epitaxial Silicon Transistor

Features ● High fT :fT = 8.5 GHz TYP. ● High gain | S21e |2 = 12.0 dB TYP. @f = 1.0 GHz, VCE = -8 V, IC = -20 mA ● High-speed switching characterstics

KEXIN

科信电子

2SA1977

Bipolar Transistor

UTC

友顺

2SA1977

PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR MICROWAVE AMPLIFIER

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RENESAS

瑞萨

PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR MICROWAVE AMPLIFIER

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RENESAS

瑞萨

封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 包装:托盘 描述:RF TRANS PNP 12V 8.5GHZ SOT23 分立半导体产品 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

CEL

封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 包装:托盘 描述:RF TRANS PNP 12V 8.5GHZ SOT23 分立半导体产品 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

CEL

PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR MICROWAVE AMPLIFIER

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RENESAS

瑞萨

2SA1977产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SA1977

  • 制造商

    Renesas Electronics

  • 功能描述

    Cut Tape

  • 制造商

    Renesas

  • 功能描述

    GP BJT

更新时间:2025-12-25 12:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS/瑞萨
2511
SOT-23
360000
电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价
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3810
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全新原装进口现货价格优惠 本公司承诺原装正品假一赔
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36800
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15000
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SOT-23
9000
原装进口现货库存专业工厂研究所配单供货

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