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TRANSISTOR (HIGH VOLTAGE SWITCHING APPLICATIONS)

High-Voltage Switching Applications • High breakdown voltage: VCEO= −400 V

TOSHIBA

东芝

Bipolar Small-Signal Transistors

MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBA

东芝

Silicon PNP Triple Diffused Type

Features High voltage: VCE= -400 V

KEXIN

科信电子

High-Voltage Switching Applications

文件:166.45 Kbytes Page:4 Pages

TOSHIBA

东芝

更新时间:2025-12-25 23:01:01
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