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位置：首页 > IC中文资料第1769页 > 2SA197

2SA197晶体管资料

  • 2SA197别名：2SA197三极管、2SA197晶体管、2SA197晶体三极管

  • 2SA197生产厂家：日本三洋公司

  • 2SA197制作材料：Ge-PNP

  • 2SA197性质：调幅 （AM）_中频放大 （ZF）

  • 2SA197封装形式：直插封装

  • 2SA197极限工作电压：15V

  • 2SA197最大电流允许值：0.01A

  • 2SA197最大工作频率：<1MHZ或未知

  • 2SA197引脚数：3

  • 2SA197最大耗散功率：

  • 2SA197放大倍数：

  • 2SA197图片代号：C-47

  • 2SA197vtest：15

  • 2SA197htest：999900

  • 2SA197atest：0.01

  • 2SA197wtest：0

  • 2SA197代换 2SA197用什么型号代替：AF124,AF125,AF126,AF127,AF200,2N3323,2N3324,2N3325,2SA202,3AG54B,

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
2SA1971

TRANSISTOR(HIGHVOLTAGESWITCHINGAPPLICATIONS)

High-VoltageSwitchingApplications •Highbreakdownvoltage:VCEO=−400V

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA
2SA1971

SiliconPNPTripleDiffusedType

Features Highvoltage:VCE=-400V

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信电子广东科信实业有限公司

KEXIN
2SA1971

BipolarSmall-SignalTransistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA
2SA1972

BipolarSmall-SignalTransistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA
2SA1972

TRANSISTOR(HIGHVOLTAGESWITCHINGAPPLICATIONS)

High-VoltageSwitchingApplications •Highbreakdownvoltage:VCEO=−400V

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA
2SA1973

DC/DCConverterApplications

DC/DCConverterApplications Features •AdoptionofFBET,MBITprocesses. •Largecurrentcapacitance. •Lowcollector-to-emittersaturationvoltage. •High-speedswitching. •Ultrasmallpackagefacilitatesminiaturizationinendproducts.

SANYOSanyo Semicon Device

三洋三洋电机株式会社

SANYO
2SA1977

PNPEPITAXIALSILICONTRANSISTORMICROWAVEAMPLIFIER

FEATURES •HighfT fT=8.5GHzTYP. •Highgain |S21e|2=12.0dBTYP.@f=1.0GHz,VCE=−8V,IC=−20mA •High-speedswitchingcharacterstics •EquivalentNPNtransistoristhe2SC3583.

NECRenesas Electronics America

瑞萨日本瑞萨电子株式会社

NEC
2SA1977

PNPEpitaxialSiliconTransistor

Features ●HighfT:fT=8.5GHzTYP. ●Highgain |S21e|2=12.0dBTYP.@f=1.0GHz,VCE=-8V,IC=-20mA ●High-speedswitchingcharacterstics

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信电子广东科信实业有限公司

KEXIN
2SA1977

PNPEPITAXIALSILICONTRANSISTOR

FEATURES •HighfT fT=8.5GHzTYP. •Highgain |S21e|2=12.0dBTYP.@f=1.0GHz,VCE=−8V,IC=−20mA •High-speedswitchingcharacterstics •EquivalentNPNtransistoristheNE68133/2SC3583.

CEL

California Eastern Labs

CEL
2SA1978

PNPEitaxialSiliconTransistor

Features ●HighfT(fT=5.5GHzTYP). ●Highgain|S21e|2=10.0dBTYP.@f=1.0GHz,Vce=-10V,Ic=-15mA ●High-speedswitchingcharacterstics

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信电子广东科信实业有限公司

KEXIN
2SA1978

PNPEPITAXIALSILICONTRANSISTOR

FEATURES •HighfT fT=5.5GHzTYP. •|S21e|2=10.0dBTYP.@f=1.0GHz,VCE=−10V,IC=−15mA •Highspeedswitchingcharacteristics •EquivalentNPNtransistoristheNE02133/2SC2351. •Alternativeofthe2SA1424.

CEL

California Eastern Labs

CEL
2SA1978

PNPEPITAXIALSILICONTRANSISTORMICROWAVEAMPLIFIER

FEATURES •HighfT fT=5.5GHzTYP. •|S21e|2=10.0dBTYP.@f=1.0GHz,VCE=−10V,IC=−15mA •Highspeedswitchingcharacteristics •EquivalentNPNtransistoristhe2SC2351. •Alternativeofthe2SA1424.

NECRenesas Electronics America

瑞萨日本瑞萨电子株式会社

NEC
2SA1979

PNPSiliconTransistor(Mediumpoweramplifier)

Description •Mediumpoweramplifier Features •Largecollectorcurrent:ICMax=-500mA •Suitableforlow-Voltageoperationbecauseofitslowsaturationvoltage •Complementarypairwith2SC5342

AUK

AUK corp

AUK
2SA1979M

PNPSiliconTransistor(Mediumpoweramplifier)

Description •Mediumpoweramplifier Features •Largecollectorcurrent:ICMax=-500mA •Suitableforlow-Voltageoperationbecauseofitslowsaturationvoltage •Complementarypairwith2SC5342M

AUK

AUK corp

AUK
2SA1979N

PNPSiliconTransistor

Description •Mediumpoweramplifier Features •Largecollectorcurrent:IC=-500mA •Lowcollectorsaturationvoltageenablinglow-voltageoperation:VCE(sat)=-0.25Max. •Complementarypairwith2SC5342N

AUK

AUK corp

AUK
2SA1979S

PNPSiliconTransistor(Mediumpoweramplifier)

Description •Mediumpoweramplifier Features •Largecollectorcurrent:ICMax=-500mA •Suitableforlow-Voltageoperationbecauseofitslowsaturationvoltage •Complementarypairwith2SC5342S

AUK

AUK corp

AUK
2SA1979S

MEDIUMPOWERAMPLIFIER

PNPSiliconTransistor Features •Largecollectorcurrent:ICMax=-500mA •Suitableforlow-Voltageoperationbecauseofitslowsaturationvoltage •Complementarypairwith2SC5342S

KODENSHIKODENSHI_AUK CORP.

可天士可天士光电子集团

KODENSHI
2SA1979S

SiliconPNPtransistorinaSOT-23PlasticPackage

Descriptions SiliconPNPtransistorinaSOT-23PlasticPackage. Features LargeIC,lowVCE(sat),complementarypairwiththe2SC5342S. Applications Mediumpoweramplifierapplications.

FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.

蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司

FOSHAN
2SA1979SF

Mediumpoweramplifier

Description •Mediumpoweramplifier Features •Largecollectorcurrent:ICMax=-500mA •Suitableforlow-Voltageoperationbecauseofitslowsaturationvoltage •Complementarypairwith2SC5342SF

KODENSHIKODENSHI_AUK CORP.

可天士可天士光电子集团

KODENSHI
2SA1979SF

PNPSiliconTransistor(Mediumpoweramplifier)

Description •Mediumpoweramplifier Features •Largecollectorcurrent:ICMax=-500mA •Suitableforlow-Voltageoperationbecauseofitslowsaturationvoltage •Complementarypairwith2SC5342SF

AUK

AUK corp

AUK
2SA1979U

PNPSiliconTransistor(Mediumpoweramplifier)

Description •Mediumpoweramplifier Features •Largecollectorcurrent:ICMax=-500mA •Suitableforlow-Voltageoperationbecauseofitslowsaturationvoltage •Complementarypairwith2SC5342U

AUK

AUK corp

AUK
2SA1979U

Mediumpoweramplifier

Description •Mediumpoweramplifier Features •Largecollectorcurrent:ICMax=-500mA •Suitableforlow-Voltageoperationbecauseofitslowsaturationvoltage •Complementarypairwith2SC5342U

KODENSHIKODENSHI_AUK CORP.

可天士可天士光电子集团

KODENSHI
2SA1979UF

MediumPowerAmplifier

Features ●Largecollectorcurrent. ●Suitableforlow-Voltageoperationbecauseofitslowsaturationvoltage.

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信电子广东科信实业有限公司

KEXIN
2SA1979UF

PNPSiliconTransistor(Mediumpoweramplifier)

Description •Mediumpoweramplifier Features •Largecollectorcurrent:ICMax=-500mA •Suitableforlow-Voltageoperationbecauseofitslowsaturationvoltage •Complementarypairwith2SC5342UF

AUK

AUK corp

AUK
2SA1979UF

Mediumpoweramplifier

Description •Mediumpoweramplifier Features •Largecollectorcurrent:IC=-500mA •Suitableforlow-Voltageoperationbecauseofitslowsaturationvoltage •Complementarypairwith2SC5342UF

KODENSHIKODENSHI_AUK CORP.

可天士可天士光电子集团

KODENSHI
2SA1971

High-VoltageSwitchingApplications

文件：166.45 Kbytes Page：4 Pages

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA
2SA1971_09

High-VoltageSwitchingApplications

文件：166.45 Kbytes Page：4 Pages

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA
2SA1972

High-VoltageSwitchingApplications

文件：150.78 Kbytes Page：4 Pages

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA
2SA1972

High-VoltageSwitchingApplications

文件：169.68 Kbytes Page：4 Pages

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA
2SA1972,F(J

封装/外壳：TO-226-3，TO-92-3 长体 包装：散装 描述：TRANS PNP 400V 0.5A TO92MOD 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

ETC

知名厂家

2SA1972,T6WNLF(J

封装/外壳：TO-226-3，TO-92-3 长体 包装：散装 描述：TRANS PNP 400V 0.5A TO92MOD 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

ETC

知名厂家

2SA1972_07

High-VoltageSwitchingApplications

文件：150.78 Kbytes Page：4 Pages

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA
2SA1972_09

High-VoltageSwitchingApplications

文件：169.68 Kbytes Page：4 Pages

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA
2SA1977

PNPEPITAXIALSILICONTRANSISTORMICROWAVEAMPLIFIER

文件：191.5 Kbytes Page：14 Pages

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS
2SA1977_15

PNPEPITAXIALSILICONTRANSISTORMICROWAVEAMPLIFIER

文件：191.5 Kbytes Page：14 Pages

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS
2SA1977-T1B-A

PNPEPITAXIALSILICONTRANSISTORMICROWAVEAMPLIFIER

文件：191.5 Kbytes Page：14 Pages

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS
2SA1978

PNPEPITAXIALSILICONTRANSISTORMICROWAVEAMPLIFIER

文件：193.77 Kbytes Page：12 Pages

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS
2SA1978_15

PNPEPITAXIALSILICONTRANSISTORMICROWAVEAMPLIFIER

文件：193.77 Kbytes Page：12 Pages

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS
2SA1979

Mediumpoweramplifier

文件：230.69 Kbytes Page：4 Pages

KODENSHIKODENSHI_AUK CORP.

可天士可天士光电子集团

KODENSHI
2SA1979M

Mediumpoweramplifier

文件：241.74 Kbytes Page：4 Pages

KODENSHIKODENSHI_AUK CORP.

可天士可天士光电子集团

KODENSHI
2SA1979S

MEDIUMPOWERAMPLIFIER

文件：246.2 Kbytes Page：4 Pages

KODENSHIKODENSHI_AUK CORP.

可天士可天士光电子集团

KODENSHI
2SA1979SF

Mediumpoweramplifier

文件：297.09 Kbytes Page：4 Pages

KODENSHIKODENSHI_AUK CORP.

可天士可天士光电子集团

KODENSHI
2SA1979U

Mediumpoweramplifier

文件：277.11 Kbytes Page：4 Pages

KODENSHIKODENSHI_AUK CORP.

可天士可天士光电子集团

KODENSHI
2SA1979UF_15

PNPTransistors

文件：726.13 Kbytes Page：2 Pages

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信电子广东科信实业有限公司

KEXIN
2SA1979UF-O

PNPTransistors

文件：726.13 Kbytes Page：2 Pages

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信电子广东科信实业有限公司

KEXIN
2SA1979UF-Y

PNPTransistors

文件：726.13 Kbytes Page：2 Pages

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信电子广东科信实业有限公司

KEXIN

2SA197产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SA197

  • 制造商

    Toshiba

  • 功能描述

    PNP

  • 制造商

    Toshiba America Electronic Components

  • 功能描述

    Transistor PNP 400V 0.5A 35MHz PW-Mini

2SA197供应商更多...

更新时间：2025-8-1 16:04:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市英瑞尔电子科技有限公司
2SA1977-T1B
NEC
24+
SOT-23
15000
原装现货假一赔十
询价
深圳市云美电子科技有限公司
2SA1977-T1B
NEC
24+
SOT-23
45310
只做全新原装进口现货
询价
深圳市欧亚佳电子有限公司
2SA1977-T1B
NEC
20+
SOT-23
11520
特价全新原装公司现货
询价
深圳市美思瑞电子科技有限公司
2SA1977-T1B
NEC
22+
SOT-23
12245
现货,原厂原装假一罚十!
询价
深圳市振宏微科技有限公司
2SA1977
SOT-23
23+
NA
15659
振宏微专业只做正品,假一罚百!
询价
深圳市盈慧通电子有限公司
2SA1977
RENESAS/瑞萨
2511
SOT-23
360000
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价
询价
深圳兆威电子有限公司
2SA1977-T1B
RENESAS
23+
SOT-23
30000
原装正品现货
询价
深圳市永贝尔科技有限公司
2SA1977
KEXIN
23+
NA
19960
只做进口原装,终端工厂免费送样
询价
富凯科技(深圳）有限公司
2SA1977
UTC/友顺
24+
SOT-23
50000
只做原装，欢迎询价，量大价优
询价
深圳诚思涵科技有限公司
2SA1977-T1B
NEC
19+
SOT-23
200000
询价

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