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Medium Power Transistor (-50V, -1A)

Features 1) Low saturation voltage, typically VCE(sat)=−0.15V at IC/IB=−500mA/−50mA 2) PC=2W (on 40×40×0.7mm ceramic board) 3) Complements the 2SC5053

ROHM

罗姆

isc Silicon PNP Power Transistor

DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage -V(BR)CEO= -50V(Min) ·Collector-Emitter Saturation Voltage -VCE(sat)= -0.4V(Max) @IC=-500mA

ISC

无锡固电

Medium power transistor

Features ● Low saturation voltage, typically VCE(sat) = -0.15V at IC / IB = -500mA / -50mA ● PC=2W (on 40X40X0.7mm ceramic board)

KEXIN

科信电子

PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor

文件:253.78 Kbytes Page:3 Pages

SEMTECH_ELEC

先之科半导体

更新时间:2025-12-26 23:01:01
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