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位置：首页 > IC中文资料第369页 > 2SA135

2SA135晶体管资料

  • 2SA135别名：2SA135三极管、2SA135晶体管、2SA135晶体三极管

  • 2SA135生产厂家：日本日立公司

  • 2SA135制作材料：Ge-PNP

  • 2SA135性质：调频 （FM）

  • 2SA135封装形式：直插封装

  • 2SA135极限工作电压：20V

  • 2SA135最大电流允许值：0.01A

  • 2SA135最大工作频率：150MHZ

  • 2SA135引脚数：4

  • 2SA135最大耗散功率：

  • 2SA135放大倍数：

  • 2SA135图片代号：C-36

  • 2SA135vtest：20

  • 2SA135htest：150000000

  • 2SA135atest：0.01

  • 2SA135wtest：0

  • 2SA135代换 2SA135用什么型号代替：AF106,AF121,AF124,AF125,AF200,AF201,AF306,2N3323,2N3324,2N3325,2SA213,2DSA214,2SA215,2SA216,3AG54D,

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
2SA1350

SiliconPNPEpitaxial

Application •Lowfrequencylownoiseamplifier •HFamplefier

HitachiHitachi Semiconductor

日立日立公司

Hitachi
2SA1352

TransistorsforTVDisplayVideoOutputUse

TransistorsforTVDisplayVideoOutputUse

SANYOSanyo Semicon Device

三洋三洋电机株式会社

SANYO
2SA1352

Ultrahigh-DefinitionCRTDisplayVideoOutputApplications

Ultrahigh-DefinitionCRTDisplayVideoOutputApplications Features •Highbreakdownvoltage:VCEO≤200V. •Smallreversetransfercapacitanceandexcellenthighfrequencycharacteristics:Cre=1.2pF(NPN),1.7pF(PNP). •AdoptionofFBETprocess. Applications •ColorTVchromaoutput,high-v

SANYOSanyo Semicon Device

三洋三洋电机株式会社

SANYO
2SA1353

Ultrahigh-DefinitionCRTDisplayVideoOutputApplications?

Ultrahigh-DefinitionCRTDisplayVideoOutputApplications Features •Highbreakdownvoltage:VCEO≤300V. •Excellenthighfrequencycharacteristics:Cre=1.8pF(typ). •AdoptionofMBITprocess. Applications •Ultrahigh-definitionCRTdisplay. •ColorTVchromaoutput,high-voltagedrivera

SANYOSanyo Semicon Device

三洋三洋电机株式会社

SANYO
2SA1353

TransistorsforTVDisplayVideoOutputUse

TransistorsforTVDisplayVideoOutputUse

SANYOSanyo Semicon Device

三洋三洋电机株式会社

SANYO
2SA1355

SiliconPNPPowerTransistors

SiliconPNPPowerTransistors DESCRIPTION ·WithTO-220package ·Lowcollectorsaturationvoltage. ·Shortswitchingtime. APPLICATIONS ·Variousinductancelampdriversforelectricalequipment. ·Inverters,converters ·Poweramplifier ·High-speedswitching

SAVANTIC

Savantic, Inc.

SAVANTIC
2SA1355

SiliconPNPPowerTransistors

SiliconPNPPowerTransistors DESCRIPTION ·WithTO-220package ·Lowcollectorsaturationvoltage. ·Shortswitchingtime. APPLICATIONS ·Variousinductancelampdriversforelectricalequipment. ·Inverters,converters ·Poweramplifier ·High-speedswitching

JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.

锦美电子泉州锦美电子有限公司

JMNIC
2SA1355

SiliconPNPPowerTransistors

SiliconPNPPowerTransistors DESCRIPTION ·WithTO-220package ·Lowcollectorsaturationvoltage. ·Shortswitchingtime. APPLICATIONS ·Variousinductancelampdriversforelectricalequipment. ·Inverters,converters ·Poweramplifier ·High-speedswitching

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
2SA1356

TRANSISTOR(AUDIOPOWERAMPLIFIERAPPLICATIONS)

AudioPowerAmplifierApplications •Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=−0.32V(typ.) (IC=−500mA,IB=−50mA) •Highcollectorpowerdissipation:PC=1.2W(Ta=25°C) •Complementaryto2SC3419

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA
2SA1357

TRANSISTOR(STROBEFLASH,AUDIOPOWERAMPLIFIERAPPLICATIONS)

2SA1357,A1357ToshibaDatasheetPDFInformations

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA
2SA1357

Plastic-EncapsulatedTransistors

TRANSISTOR(PNP) FEATURES PowerdissipationPCM:1.5W(Tamb=25℃) CollectorcurrentICM:-5A Collector-basevoltageV(BR)CBO:-35V OperatingandstoragejunctiontemperaturerangeTJ,Tstg:-55℃to+150℃

TELTokyo Electron Ltd.

东电电子东京电子有限公司

TEL
2SA1357

iscSiliconPNPPowerTransistor

DESCRIPTION •HighCollectorCurrent-IC=-5.0A •DCCurrentGain-:hFE=70(Min)@IC=-4A •LowSaturationVoltage:VCE(sat)=-1.0V(Max)@IC=-4A APPLICATIONS •Strobeflashapplications. •Audiopoweramplifierapplications.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
2SA1357

SiliconPNPtransistorinaTO-126FPlasticPackage

Descriptions SiliconPNPtransistorinaTO-126FPlasticPackage. Features HighIC,lowVCE(sat). Applications Strobeflashapplications,audiopoweramplifierapplications.

FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.

蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司

FOSHAN
2SA1357

TRANSISTOR(PNP)

TRANSISTOR(PNP) FEATURES PowerdissipationPCM:1.5W(Tamb=25℃) CollectorcurrentICM:-5A Collector-basevoltageV(BR)CBO:-35V OperatingandstoragejunctiontemperaturerangeTJ,Tstg:-55℃to+150℃

WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD

永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司

WINNERJOIN
2SA1357

SiliconPNPPowerTransistor

DESCRIPTION •HighCollectorCurrent-IC=-5.0A •DCCurrentGain-:hFE=70(Min)@IC=-4A •LowSaturationVoltage:VCE(sat)=-1.0V(Max)@IC=-4A APPLICATIONS •Strobeflashapplications. •Audiopoweramplifierapplications.

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

NJSEMI
2SA1358

SiliconPNPPowerTransistor

DESCRIPTION •HighCollector-EmitterBreakdownVoltage :V(BR)CEO=-120V(Min) •ComplementtoType2SC3421 APPLICATIONS •Designedforaudiofrequencypoweramplifierapplications.

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

NJSEMI
2SA1358

BipolarSmall-SignalTransistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA
2SA1358

iscSiliconPNPPowerTransistor

DESCRIPTION •HighCollector-EmitterBreakdownVoltage :V(BR)CEO=-120V(Min) •ComplementtoType2SC3421 APPLICATIONS •Designedforaudiofrequencypoweramplifierapplications. •Suitablefordriverof60to80Wattsaudioamplifier.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
2SA1358

TRANSISTOR(AUDIOFREQUENCYPOWERAMPLIFIERAPPLICATIONS)

AudioFrequencyPowerAmplifierApplications •Complementaryto2SC3421 •Suitablefordriverof60to80watts •Highbreakdownvoltage

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA
2SA1358-Z

iscSiliconPNPPowerTransistor

DESCRIPTION •WithTO-252(DPAK)packaging •ExcellentlinearityofhFE •Lowcollector-to-emittersaturationvoltage •Fastswitchingspeed •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS •Designedforaudiofrequencypoweramplifierap

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
2SA1359

SiliconPNPPowerTransistors

DESCRIPTION ·WithTO-126package ·Complementtotype2SC3422 ·GoodlinearityofhFE APPLICATIONS ·Audiofrequencyamplifier ·Lowspeedswitching ·Suitableforoutputstageof5Wcarradioandcarstereo

JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.

锦美电子泉州锦美电子有限公司

JMNIC
2SA1359

TRANSISTOR(AUDIOFREQUENCYPOWERAMPLIFIER.LOWSPEEDSWITCHING)

AudioFrequencyPowerAmplifier Low-SpeedSwitching •Suitablefortheoutputstageof5-wattcarradiosandcarstereos. •GoodhFElinearity •Complementaryto2SC3422.

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA
2SA1359

SiliconPNPtransistorinaTO-126FPlasticPackage

Description SiliconPNPtransistorinaTO-126FPlasticPackage. Features GoodlinearityofhFE,complementaryto2SC3422. Applications Audiofrequencypoweramplifierandlowspeedswitchingapplications.

FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.

蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司

FOSHAN
2SA1359

SiliconPNPPowerTransistors

DESCRIPTION ·WithTO-126package ·Complementtotype2SC3422 ·GoodlinearityofhFE APPLICATIONS ·Audiofrequencyamplifier ·Lowspeedswitching ·Suitableforoutputstageof5Wcarradioandcarstereo

SAVANTIC

Savantic, Inc.

SAVANTIC
2SA1359

SiliconPNPPowerTransistors

DESCRIPTION ·WithTO-126package ·Complementtotype2SC3422 ·GoodlinearityofhFE APPLICATIONS ·Audiofrequencyamplifier ·Lowspeedswitching ·Suitableforoutputstageof5Wcarradioandcarstereo

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
2SA1350

SiliconPNPEpitaxial

文件：139.38 Kbytes Page：6 Pages

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS
2SA1352

ComplementtoType2SC3416

文件：109.91 Kbytes Page：2 Pages

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
2SA1352

SiliconPNPPowerTransistor

文件：183.07 Kbytes Page：2 Pages

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

NJSEMI
2SA1355

SiliconPNPPowerTransistors

文件：154.02 Kbytes Page：3 Pages

JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.

锦美电子泉州锦美电子有限公司

JMNIC
2SA1355_15

SiliconPNPPowerTransistors

文件：154.02 Kbytes Page：3 Pages

JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.

锦美电子泉州锦美电子有限公司

JMNIC
2SA1356

AudioPowerAmplifierApplications

文件：136.37 Kbytes Page：4 Pages

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA
2SA1356_06

AudioPowerAmplifierApplications

文件：136.37 Kbytes Page：4 Pages

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA
2SA1357

StrobeFlashApplicationsAudioPowerAmplifierApplications

文件：140 Kbytes Page：4 Pages

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA
2SA1357_07

StrobeFlashApplicationsAudioPowerAmplifierApplications

文件：140 Kbytes Page：4 Pages

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA
2SA1358

AudioFrequencyPowerAmplifierApplications

文件：120.84 Kbytes Page：4 Pages

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA
2SA1358_07

AudioFrequencyPowerAmplifierApplications

文件：120.84 Kbytes Page：4 Pages

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA
2SA1359

AudioFrequencyPowerAmplifierLow-SpeedSwitching

文件：130.18 Kbytes Page：4 Pages

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA
2SA1359

SiliconPNPPowerTransistors

文件：205.91 Kbytes Page：4 Pages

JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.

锦美电子泉州锦美电子有限公司

JMNIC
2SA1359_07

AudioFrequencyPowerAmplifierLow-SpeedSwitching

文件：130.18 Kbytes Page：4 Pages

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA
2SA1359_15

SiliconPNPPowerTransistors

文件：205.91 Kbytes Page：4 Pages

JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.

锦美电子泉州锦美电子有限公司

JMNIC

2SA135产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SA135

  • 制造商

    Distributed By MCM

  • 功能描述

    SUB ONLY SANYO TRANS. TO-126 -300V -.1A 1.2W ECB

2SA135供应商更多...

更新时间：2025-6-15 13:10:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市向鸿伟业电子有限公司
2SA1359-Y
TOSHIBA/东芝
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TO126F
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原装正品/假一罚十/支持样品/可开发票
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2SA135F-Y
TOSHIBA/东芝
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一级代理原厂VIP渠道,专注军工、汽车、医疗、工业、
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2SA136
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TOSHIBA
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2SA1359
TOSHIBA/东芝
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TOSHIBA
24+
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900
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TOSHIBA
20+
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TOSHIBA/东芝
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