型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
2SA1242-Y(Q)

封装/外壳:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA 包装:散装 描述:TRANS PNP 20V 5A PW-MOLD 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

ETC

知名厂家

Silicon PNP transistor in a TO-252 Plastic Package.

Descriptions Silicon PNP transistor in a TO-252 Plastic Package. Features Excellent hFE linearity, low VCE(sat), high PC. Applications Strobe flash applications, medium power amplifier applications.

FOSHAN

蓝箭电子

Silicon PNP Epitaxial Type

FEATURES ● Excellent hFE linearity. ● Low collector saturation voltage. ● High power dissipation. APPLICATIONS ● Strobe Flash Applications. ● Medium Power Amplifier Applications.

BILIN

银河微电

isc Silicon PNP Power Transistor

DESCRIPTION • hFE=100-320(IC= -0.5A; VCE= -2V) • hFE=70(Min)(IC= -4A; VCE= -2V) • Low Collector-Emitter Saturation Voltage- : VCE(sat)= -1.0V(Max)( IC= -4A; IB= -0.1A) •·High Power Dissipation- : PC= 10W@TC=25℃ ,PC= 10W@Ta=25℃ • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and

ISC

无锡固电

Strobe Flash Applications Medium Power Amplifier Applications

文件:161.07 Kbytes Page:4 Pages

TOSHIBA

东芝

Strobe Flash Applications Medium Power Amplifier Applications

文件:158 Kbytes Page:4 Pages

TOSHIBA

东芝

2SA1242-Y(Q)产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SA1242-Y(Q)

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT PNP 20V 5A Transistor

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2025-11-22 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TOSHIBA/东芝
24+
NA/
6556
原装现货,当天可交货,原型号开票
TOSHIBA/东芝
22+
SOT252
100000
代理渠道/只做原装/可含税
TOSHIBA
10+
TO-251
22400
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
TOSHIBA/东芝
23+
TO-252
5000
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详
TOSHIBA/东芝
10+P
TO-251
3306
TOS
25+23+
TO-251
27057
绝对原装正品全新进口深圳现货
TOSHIBA/东芝
2450+
TO-251
9850
只做原装正品现货或订货假一赔十!
TOSHIBA
24+
TO-252
6474
新进库存/原装
TOSHIBA/东芝
24+
TO-252
43200
郑重承诺只做原装进口现货
ROHM
23+
TO252
5000
原装正品,假一罚十

2SA1242-Y(Q)数据表相关新闻