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2SA123晶体管资料

  • 2SA123别名：2SA123三极管、2SA123晶体管、2SA123晶体三极管

  • 2SA123生产厂家：日本索尼公司

  • 2SA123制作材料：Ge-PNP

  • 2SA123性质：调频 （FM）

  • 2SA123封装形式：

  • 2SA123极限工作电压：15V

  • 2SA123最大电流允许值：0.002A

  • 2SA123最大工作频率：100MHZ

  • 2SA123引脚数：

  • 2SA123最大耗散功率：

  • 2SA123放大倍数：

  • 2SA123图片代号：NO

  • 2SA123vtest：15

  • 2SA123htest：100000000

  • 2SA123atest：.002

  • 2SA123wtest：0

  • 2SA123代换 2SA123用什么型号代替：AF106,AF124,AF125,AF306,2N3323,2N3324,2N3325,2AS340,2SA341,2SA342,3AG53C,

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
2SA1232

PNPSILICONEPITAXIAL/NPNSILICONTRIPLEDIFFUSEDTRANSISTOR

AudioFrequencyPowerAmplifier

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

ETC
2SA1232

SiliconPNPPowerTransistors

DESCRIPTION •WithTO-3PFapackage •Complementtotype2SC3012 APPLICATIONS •Audiofrequencypoweramplifier.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
2SA1232

SiliconPNPPowerTransistors

DESCRIPTION •WithTO-3PFapackage •Complementtotype2SC3012 APPLICATIONS •Audiofrequencypoweramplifier.

SAVANTIC

Savantic, Inc.

SAVANTIC
2SA1232

SiliconPNPPowerTransistors

DESCRIPTION •WithTO-3PFapackage •Complementtotype2SC3012 APPLICATIONS •Audiofrequencypoweramplifier.

JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.

泉州锦美泉州锦美电子有限公司

JMNIC
2SA1232

SiliconPNPPowerTransistor

DESCRIPTION •Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEo=-130V(Min) •GoodLinearityofhFE •ComplementtoType2SC3012 APPLICATIONS •Foraudiofrequencypoweramplifierapplications.

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

NJSEMI
2SA1235

FORLOWFREQUENCYAMPLIFYAPPLICATIONSILICONPNPEPITAXIALTYPE(minitype)

FORLOWFREQUENCYAMPLIFYAPPLICATION DESCRIPTION 2SA1235isaminipackageresinsealedsiliconPNPepitaxialtransistor,Itisdesignedforlowfrequencyvoltageapplication. . FEATURE ●Smallcollectortoemittersaturationvoltage. VCE(sat)=-0.3Vmax（@Ic=-100mA,IB=-10mA） ●Excellent

ISAHAYAIsahaya Electronics Corporation

Isahaya电子公司

ISAHAYA
2SA1235

SiliconPNPEpitaxial

Features Smallcollectortoemittersaturationvoltage. ExcelentlinearyDCforwardcurrentgain. Superminipackageforeasymounting.

KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD

科信电子广东科信实业有限公司

KEXIN
2SA1235A

Plastic-EncapsulatedTransistors

FEATURES Powerdissipation PCM:0.2W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:-0.2A Collector-basevoltage V(BR)CBO:-60V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃

TEL

TRANSYS Electronics Limited

TEL
2SA1235A

SiliconEpitaxialPlanarTransistor

FEATURES ●Smallcollectortoemittersaturationvoltage VCE(sat)=-0.3Vmax(@IC=-100mA,IB=-10mA). ●ExcellentlinearyDCforwardcurrentgain. ●Superminipackageforeasymounting. APPLICATIONS ●PNPepitaxialtypetransistordesignedforlowfrequency. ●Voltageamplifyapplication.

BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited

世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司

BILIN
2SA1235A

FORLOWFREQUENCYAMPLIFYAPPLICATIONSILICONPNPEPITAXIALTYPE(Superminitype)

FORLOWFREQUENCYAMPLIFYAPPLICATION FEATURE ・Superminipackageforeasymounting ・ExcellentlinearityofDCforwardgain ・Smallcollectortoemittersaturationvoltage VCE(sat)=-0.3Vmax APPLICATION ForHybridIC,smalltypemachinelowfrequencyvoltageAmplifyappli

ISAHAYAIsahaya Electronics Corporation

Isahaya电子公司

ISAHAYA
2SA1235A

PNPSiliconPlasticEncapsulatedTransistor

FEATURES LowCollectorCurrent LowCollectorPowerDissipation

SECOS

SeCoS Halbleitertechnologie GmbH

SECOS
2SA1235A

TRANSISTOR(PNP)

FEATURES LowCollectorCurrent LowCollectorPowerDissipation

HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd.

金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司

HTSEMI
2SA1235A

SOT-23Plastic-EncapsulateTransistors

FEATURES LowCollectorCurrent LowCollectorPowerDissipation

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶电子东莞市南晶电子有限公司

DGNJDZ
2SA1235A

PNPTRANSISTOR

[DONGGUANSHIHUAYUANELECTRONCO.,LTD.] TRANSISTOR（PNP） FEATURES Powerdissipation PCM:0.2W（Tamb=25℃） Collectorcurrent ICM:-0.2A Collector-basevoltage V(BR)CBO:-60V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ，Tstg:-55℃t

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

ETC
2SA1235A

TRANSISTOR(PNP)

FEATURES Powerdissipation PCM:0.2W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:-0.2A Collector-basevoltage V(BR)CBO:-60V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃

WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD

永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司

WINNERJOIN
2SA1235A

SOT-23Plastic-EncapsulateTransistors

FEATURES Powerdissipation PCM:0.2W（Tamb=25℃） Collectorcurrent ICM:-0.2A Collector-basevoltage V(BR)CBO:-60V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ，Tstg:-55℃to+150℃

JIANGSU

Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

JIANGSU
2SA1235A

PNPepitaxialtypetransistordesignedforlowfrequency.

FEATURES ●Smallcollectortoemittersaturationvoltage VCE(sat)=-0.3Vmax(@IC=-100mA,IB=-10mA). ●ExcellentlinearyDCforwardcurrentgain. ●Superminipackageforeasymounting. APPLICATIONS ●PNPepitaxialtypetransistordesignedforlowfrequency. ●Voltageamplifyapplication.

LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd

鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司

LUGUANG
2SA1235A

Plastic-EncapsulateTransistors

Features LowCollectorCurrent LowCollectorPowerDissipation

GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd .

唯聖電子唯聖電子有限公司

GWSEMI
2SA1237

DIFFERENTIALAMPAPPLICATIONS

DifferentialAmpApplications

SANYOSanyo

三洋三洋电机株式会社

SANYO
2SA1238

DIFFERENTIALAMPAPPLICATIONS

SANYOSanyo

三洋三洋电机株式会社

SANYO
2SA1239

DIFFERENTIALAMPAPPLICATIONS

DifferentialAmpApplications

SANYOSanyo

三洋三洋电机株式会社

SANYO
2SA1232

SiliconPNPPowerTransistors

文件：165.82 Kbytes Page：3 Pages

JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.

泉州锦美泉州锦美电子有限公司

JMNIC
2SA1232_15

SiliconPNPPowerTransistors

文件：165.82 Kbytes Page：3 Pages

JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.

泉州锦美泉州锦美电子有限公司

JMNIC
2SA1235_15

PNPTransistors

文件：1.2128 Mbytes Page：3 Pages

KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD

科信电子广东科信实业有限公司

KEXIN
2SA1235A

SOT-23BIPOLARTRANSISTORSTRANSISTOR(PNP)

文件：295.76 Kbytes Page：2 Pages

RECTRONRECTRON LTD

瑞创深圳市瑞创科技有限公司

RECTRON
2SA1235A

PNPPlastic-EncapsulateTransistors

文件：1.261 Mbytes Page：5 Pages

JINGHENG

Jinan Jing Heng Electronics Co., Ltd.

JINGHENG
2SA1235A

SiliconEpitaxialPlanarTransistor

文件：87.79 Kbytes Page：3 Pages

BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited

世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司

BILIN
2SA1235A

SiliconEpitaxialPlanarTransistor

文件：135.88 Kbytes Page：3 Pages

BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited

世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司

BILIN
2SA1235A_08

SiliconEpitaxialPlanarTransistor

文件：129.41 Kbytes Page：3 Pages

BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited

世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司

BILIN
2SA1235A_12

SiliconEpitaxialPlanarTransistor

文件：135.88 Kbytes Page：3 Pages

BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited

世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司

BILIN
2SA1235A_15

PNPSiliconPlasticEncapsulatedTransistor

文件：109.17 Kbytes Page：1 Pages

SECOS

SeCoS Halbleitertechnologie GmbH

SECOS
2SA1235A_15

PNPTRANSISTOR

文件：136.14 Kbytes Page：1 Pages

WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD

永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司

WINNERJOIN
2SA1235A_17

SiliconEpitaxialPlanarTransistor

文件：87.79 Kbytes Page：3 Pages

BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited

世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司

BILIN
2SA1235-E

PNPTransistors

文件：1.2128 Mbytes Page：3 Pages

KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD

科信电子广东科信实业有限公司

KEXIN
2SA1235-F

PNPTransistors

文件：1.2128 Mbytes Page：3 Pages

KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD

科信电子广东科信实业有限公司

KEXIN
2SA1235-G

PNPTransistors

文件：1.2128 Mbytes Page：3 Pages

KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD

科信电子广东科信实业有限公司

KEXIN

2SA123供应商更多...

更新时间：2024-5-6 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市金芯世纪电子有限公司
2SA1233
RENESAS/瑞萨
22+
SOT252
100000
代理渠道/只做原装/可含税
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深圳市弘扬芯城科技有限公司
2SA1232
SPTECH(深圳质超)
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TO3PN
6000
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深圳市卓越微芯电子有限公司
2SA1232
NEC
2020+
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106
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可
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NEC
2022
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2SA1233
12+
TO-252
15000
全新原装,绝对正品,公司现货供应。
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深圳市得捷芯城科技有限公司
2SA1232
NEC
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深圳市科芯源微电子有限公司
2SA1233
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深圳市博浩通科技有限公司
2SA1235
MITSUBISHI
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深圳市弘为电子有限公司
2SA1235
三菱
16+
原厂封装
96000
原装现货假一罚十
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深圳市环球伟业电子有限公司
2SA1232
NEC/Renesas Electronics Americ
21+
TO-3P
13
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
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