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2SA123晶体管资料

  • 2SA123别名：2SA123三极管、2SA123晶体管、2SA123晶体三极管

  • 2SA123生产厂家：日本索尼公司

  • 2SA123制作材料：Ge-PNP

  • 2SA123性质：调频 （FM）

  • 2SA123封装形式：

  • 2SA123极限工作电压：15V

  • 2SA123最大电流允许值：0.002A

  • 2SA123最大工作频率：100MHZ

  • 2SA123引脚数：

  • 2SA123最大耗散功率：

  • 2SA123放大倍数：

  • 2SA123图片代号：NO

  • 2SA123vtest：15

  • 2SA123htest：100000000

  • 2SA123atest：0.002

  • 2SA123wtest：0

  • 2SA123代换 2SA123用什么型号代替：AF106,AF124,AF125,AF306,2N3323,2N3324,2N3325,2AS340,2SA341,2SA342,3AG53C,

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
2SA1232

PNP SILICON EPITAXIAL/NPN SILICON TRIPLE DIFFUSED TRANSISTOR

Audio Frequency Power Amplifier

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

2SA1232

Silicon PNP Power Transistors

DESCRIPTION • With TO-3PFa package • Complement to type 2SC3012 APPLICATIONS • Audio frequency power amplifier.

ISC

无锡固电

2SA1232

Silicon PNP Power Transistors

DESCRIPTION • With TO-3PFa package • Complement to type 2SC3012 APPLICATIONS • Audio frequency power amplifier.

SAVANTIC

2SA1232

Silicon PNP Power Transistors

DESCRIPTION • With TO-3PFa package • Complement to type 2SC3012 APPLICATIONS • Audio frequency power amplifier.

JMNIC

锦美电子

2SA1232

Silicon PNP Power Transistor

DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- :V(BR)CEo=-130V(Min) • Good Linearity of hFE • Complement to Type 2SC3012 APPLICATIONS • For audio frequency power amplifier applications.

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

2SA1235

FOR LOW FREQUENCY AMPLIFY APPLICATION SILICON PNP EPITAXIAL TYPE(mini type)

FOR LOW FREQUENCY AMPLIFY APPLICATION DESCRIPTION 2SA1235 is a mini package resin sealed silicon PNP epitaxial transistor, It is designed for low frequency voltage application. . FEATURE ● Small collector to emitter saturation voltage. VCE(sat)=-0.3V max（@Ic=-100mA,IB=-10mA） ● Excellent

ISAHAYA

谏早电子

2SA1235

Silicon PNP Epitaxial

Features Small collector to emitter saturation voltage. Excelent lineary DC forward current gain. Super mini package for easy mounting.

KEXIN

科信电子

2SA1235

SILICON PNP EPITAXIAL TYPE(mini type) SMALL-SIGNAL TRANSISTOR

FOR LOW FREQUENCY AMPLIFY APPLICATIONDESCRIPTION\n2SA1235 is a mini package resin sealed silicon PNP epitaxial transistor, It is designed for low frequency voltage application.\n.\nFEATURE\n●Small collector to emitter saturation voltage.\nVCE(sat)=-0.3V max（@Ic=-100mA,IB=-10mA）\n●Excellent linearity

IDC

2SA1235A

Plastic-Encapsulated Transistors

FEATURES Power dissipation PCM : 0.2 W (Tamb=25℃) Collector current ICM : -0.2 A Collector-base voltage V(BR)CBO : -60 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃

TEL

2SA1235A

丝印代码：ME；Silicon Epitaxial Planar Transistor

FEATURES ● Small collector to emitter saturation voltage VCE(sat)=-0.3V max(@IC=-100mA,IB=-10mA). ● Excellent lineary DC forward current gain. ● Super mini package for easy mounting. APPLICATIONS ● PNP epitaxial type transistor designed for low frequency. ● Voltage amplify application.

BILIN

银河微电

2SA1235A

FOR LOW FREQUENCY AMPLIFY APPLICATION SILICON PNP EPITAXIAL TYPE(Super mini type)

FOR LOW FREQUENCY AMPLIFY APPLICATION FEATURE ・ Super mini package for easy mounting ・Excellent linearity of DC forward gain ・Small collector to emitter saturation voltage VCE(sat)=-0.3V max APPLICATION For Hybrid IC,small type machine low frequency voltage Amplify appli

ISAHAYA

谏早电子

2SA1235A

PNP Silicon Plastic Encapsulated Transistor

FEATURES Low Collector Current Low Collector Power Dissipation

SECOS

喜可士

2SA1235A

TRANSISTOR(PNP)

FEATURES Low Collector Current Low Collector Power Dissipation

HTSEMI

金誉半导体

2SA1235A

SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors

FEATURES  Low Collector Current  Low Collector Power Dissipation

DGNJDZ

南晶电子

2SA1235A

PNP TRANSISTOR

[DONG GUAN SHI HUA YUAN ELECTRON CO.,LTD.] TRANSISTOR（ PNP ） FEATURES Power dissipation PCM: 0.2 W（Tamb=25℃） Collector current ICM: -0.2 A Collector-base voltage V (BR) CBO: -60 V Operating and storage junction temperature range TJ，Tstg: -55℃ t

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

2SA1235A

TRANSISTOR (PNP)

FEATURES Power dissipation PCM : 0.2 W (Tamb=25℃) Collector current ICM : -0.2 A Collector-base voltage V(BR)CBO : -60 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃

WINNERJOIN

永而佳

2SA1235A

SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors

FEATURES Power dissipation PCM : 0.2 W（ Tamb=25℃） Collector current ICM: -0.2 A Collector-base voltage V(BR) CBO: -60 V Operating and storage junction temperature range TJ， Tstg: -55℃ to +150℃

JIANGSU

长电科技

2SA1235A

丝印代码：ME/MF/MG；PNP epitaxial type transistor designed for low frequency.

FEATURES ● Small collector to emitter saturation voltage VCE(sat)=-0.3V max(@IC=-100mA,IB=-10mA). ● Excellent lineary DC forward current gain. ● Super mini package for easy mounting. APPLICATIONS ● PNP epitaxial type transistor designed for low frequency. ● Voltage amplify application.

LUGUANG

鲁光电子

2SA1235A

Plastic-Encapsulate Transistors

Features  Low Collector Current  Low Collector Power Dissipation

GWSEMI

唯圣电子

2SA1237

DIFFERENTIAL AMP APPLICATIONS

Differential Amp Applications

SANYO

三洋

2SA1238

DIFFERENTIAL AMP APPLICATIONS

SANYO

三洋

2SA1239

DIFFERENTIAL AMP APPLICATIONS

Differential Amp Applications

SANYO

三洋

2SA1232

Silicon PNP Power Transistors

文件：165.82 Kbytes Page：3 Pages

JMNIC

锦美电子

2SA1232

SOT-23 BIPOLAR TRANSISTORS TRANSISTOR(PNP)

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

2SA1232_15

Silicon PNP Power Transistors

文件：165.82 Kbytes Page：3 Pages

JMNIC

锦美电子

2SA1235_15

PNP Transistors

文件：1.2128 Mbytes Page：3 Pages

KEXIN

科信电子

2SA1235A

SOT-23 BIPOLAR TRANSISTORS TRANSISTOR(PNP)

文件：295.76 Kbytes Page：2 Pages

RECTRON

丽正

2SA1235A

晶体管

JSCJ

长晶科技

2SA1235A

PNP Plastic-Encapsulate Transistors

文件：1.261 Mbytes Page：5 Pages

JINGHENG

晶恒

2SA1235A

丝印代码：ME；Silicon Epitaxial Planar Transistor

文件：87.79 Kbytes Page：3 Pages

BILIN

银河微电

2SA1235A

丝印代码：ME；Silicon Epitaxial Planar Transistor

文件：135.88 Kbytes Page：3 Pages

BILIN

银河微电

2SA1235A_08

Silicon Epitaxial Planar Transistor

文件：129.41 Kbytes Page：3 Pages

BILIN

银河微电

2SA1235A_12

Silicon Epitaxial Planar Transistor

文件：135.88 Kbytes Page：3 Pages

BILIN

银河微电

2SA1235A_15

PNP Silicon Plastic Encapsulated Transistor

文件：109.17 Kbytes Page：1 Pages

SECOS

喜可士

2SA1235A_15

PNP TRANSISTOR

文件：136.14 Kbytes Page：1 Pages

WINNERJOIN

永而佳

2SA1235A_17

Silicon Epitaxial Planar Transistor

文件：87.79 Kbytes Page：3 Pages

BILIN

银河微电

2SA1235-E

PNP Transistors

文件：1.2128 Mbytes Page：3 Pages

KEXIN

科信电子

2SA1235-F

PNP Transistors

文件：1.2128 Mbytes Page：3 Pages

KEXIN

科信电子

2SA1235-G

PNP Transistors

文件：1.2128 Mbytes Page：3 Pages

KEXIN

科信电子

2SA123产品属性

  • 类型

    描述

  • Production Status：

    EOL

2SA123供应商更多...

更新时间：2026-5-14 15:06:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市卓越微芯电子有限公司
2SA1232
NEC
25+
TO-3P
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司
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深圳市创新迹电子有限公司
2SA1232
NEC
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TO-3P
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艾睿（深圳）半导体有限公司
2SA1232
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TO-3PN
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深圳市向鸿伟业电子有限公司
2SA1232
SPTECH
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2SA1235
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洪芯国际半导体（深圳）有限公司
2SA1235
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深圳市莱克讯科技有限公司
2SA1235
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2SA1235
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2SA1232
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