位置：首页 > IC中文资料 > 2SA1015-GR-AP
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
2SA1015-GR-AP | 封装/外壳：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线 包装：散装 描述：TRANS PNP 50V 0.15A TO92 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 | MCC |   | |
PNP SILICON TRANSISTOR 2SA1015 is PNP silicon planar transistor designed for audio frequency general purpose amplifier applications and driver stage amplifier applications. | MICRO-ELECTRONICS | | ||
PNP Transistor Features ● High voltage and high current VCEO:=-50V(min.),IC=-150mA(max.) ● Low niose: NF=1dB(Typ.) at f=1KHz | KEXIN 科信电子 | | ||
TECHNICAL SPECIFICATIONS OF PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description Designed for use in driver stage of AF amplifier general purpose amplification. | DCCOM 道全 | | ||
LOW FREQUENCY PNP AMPLIFIER TRANSISTOR 文件：143.93 Kbytes Page：4 Pages | UTC 友顺 | | ||
Audio Frequency Amplifier Applications Low Noise Amplifier Applications 文件：110.69 Kbytes Page：3 Pages | TOSHIBA 东芝 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
HT |
25+23+ |
SOT23-3 |
67652 |
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MCC |
NA |
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2SA1015-GR-AP规格书下载地址
2SA1015-GR-AP参数引脚图相关
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2023-2-162RL090M-6
商品目录 气体放电管（GDT） 直流击穿电压(最小值) - 脉冲放电电流 5kA 极间电容 1pF 电极数 2 直流击穿电压(最大值) - 精度 ±20%_ 直流击穿电压(典型值) 90V
2021-7-72RP600L-8气体放电管 2RP600L-8君耀品牌 技术参数
2RP600L-8气体放电管 2RP600L-8君耀品牌 技术参数
2020-5-82SA1015-Y-AP（原厂授权中国分销商）
主要参数： 分立半导体产品 电流 - 集电极（Ic）（最大值）： 150mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V 电流（最大值） ：100nA（ICBO） DC 电流增益（hFE）（最小值）： 120 功率 - 最大值： 400MW 频率 - 跃迁： 80MHz 工作温度 ：-55°C ~ 125°C 安装类型： 通孔 封装： TO-226-3， TO-92-3
2020-3-62SA1036KT146R三极管进口原装现货
2SA1036KT146R三极管进口原装现货 启动用表面安装型三极管
2019-8-15
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