| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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PNP/NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR PNP/NPN Silicon Epitaxial Transistor (EBT) Audio Frequency Power Amplifier High Frequency Power Amplifier | NEC 瑞萨 |   | ||
Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220 package ·Complement to type 2SC2336,2SC2336A,2SC2336B APPLICATIONS ·Audio frequency power amplifier ·High frequency power amplifier | JMNIC 锦美电子 | | ||
Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220 package ·Complement to type 2SC2336,2SC2336A,2SC2336B APPLICATIONS ·Audio frequency power amplifier ·High frequency power amplifier | SAVANTIC | | ||
Silicon PNP Power Transistors 文件：205.61 Kbytes Page：5 Pages | JMNIC 锦美电子 | | ||
isc Silicon PNP Power Transistor 文件：297.96 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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商品目录 气体放电管（GDT） 直流击穿电压(最小值) - 脉冲放电电流 5kA 极间电容 1pF 电极数 2 直流击穿电压(最大值) - 精度 ±20%_ 直流击穿电压(典型值) 90V
2021-7-72R5TPF330MFL 深圳市得捷芯城电子科技 AVX KEMET 尼康 三洋 钽电容代理商
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2020-8-42RP600L-8气体放电管 2RP600L-8君耀品牌 技术参数
2RP600L-8气体放电管 2RP600L-8君耀品牌 技术参数
2020-5-82SA1015-Y-AP（原厂授权中国分销商）
主要参数： 分立半导体产品 电流 - 集电极（Ic）（最大值）： 150mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V 电流（最大值） ：100nA（ICBO） DC 电流增益（hFE）（最小值）： 120 功率 - 最大值： 400MW 频率 - 跃迁： 80MHz 工作温度 ：-55°C ~ 125°C 安装类型： 通孔 封装： TO-226-3， TO-92-3
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