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位置：首页 > IC中文资料第788页 > 2N7000RLRMG

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
2N7000RLRMG

SmallSignalMOSFET200mAmps,60VoltsN?묬hannelTO??2200mAMPS60VOLTS

文件：57.66 Kbytes Page：4 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
2N7000

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

Description TheseN-channelenhancementmodefieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Theseproductshavebeendesignedtominimizeon-stateresistancewhileprovidingrugged,reliable,andfastswitchingperformance.Theycanbeused

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild
2N7000

CASE29-04,STYLE22TO-92(TO-226AA)

MotorolaMotorola, Inc

摩托罗拉

Motorola
2N7000

N-ChannelEnhancement-ModeVerticalDMOSFET

GeneralDescription TheSupertex2N7000isanenhancement-mode(normally-off)transistorthatutilizesaverticalDMOSstructureandSupertex’swell-provensilicon-gatemanufacturingprocess.Thiscombinationproducesadevicewiththepowerhandlingcapabilitiesofbipolartransistors,andtheh

SUTEX

Supertex, Inc

SUTEX
2N7000

N-Channel60-V(D-S)MOSFET

FEATURES ●LowOn-Resistance:2.5Ω ●LowThreshold:2.1V ●LowInputCapacitance:22pF ●FastSwitchingSpeed:7ns ●LowInputandOutputLeakage BENEFITS ●LowOffsetVoltage ●Low-VoltageOperation ●EasilyDrivenWithoutBuffer ●High-SpeedCircuits ●LowErrorVoltage APPLICATI

VishayVishay Siliconix

威世科技

Vishay
2N7000

N-CHANNEL-ENHANCEMENT

文件：288.83 Kbytes Page：3 Pages

TRSYS

Transys Electronics

TRSYS

2N7000RLRMG产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2N7000RLRMG

  • 功能描述

    MOSFET 60V 200mA N-Channel

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS（导通）

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

2N7000RLRMG供应商更多...

更新时间：2024-5-1 19:14:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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