2N669晶体管资料

  • 2N669别名:2N669三极管、2N669晶体管、2N669晶体三极管

  • 2N669生产厂家:CSR_美国电子晶体管公司_美国摩托罗拉半导体公司

  • 2N669制作材料:Ge-PNP

  • 2N669性质:低频或音频放大 (LF)_开关管 (S)

  • 2N669封装形式:直插封装

  • 2N669极限工作电压:40V

  • 2N669最大电流允许值:3A

  • 2N669最大工作频率:<1MHZ或未知

  • 2N669引脚数:2

  • 2N669最大耗散功率:90W

  • 2N669放大倍数

  • 2N669图片代号:e-44

  • 2N669vtest:40

  • 2N669htest:999900

  • 2N669atest:3

  • 2N669wtest:90

  • 2N669代换 2N669用什么型号代替:2N1529,2N1530,2N1531,2N1532,2N1533,2N1534,2N1535,2N1536,2N1537,2N1538,2N1539,2N140,2N1541,2N1542,2N1543,2N1544,2N1545,2N1546,2N1547,2N1548,2N3611,2N3612,2N3613,2N3614,2N3615,2N3616,2N3617,2N3618,2N2143,3AD57A,

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
2N669

GERMANIUM POWER TRANSISTORS

4 AMP GERMANIUM PNP 5 AMP GERMANIUM PNP 6 AMP GERMANIUM PNP

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

2N669

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4 AMP GERMANIUM PNP 5 AMP GERMANIUM PNP 6 AMP GERMANIUM PNP

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

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2N669

GERMANIUM POWER TRANSISTORS

4 AMP GERMANIUM PNP 5 AMP GERMANIUM PNP 6 AMP GERMANIUM PNP

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新泽西半导体新泽西半导体公司

NPN POWER SILICON TRANSISTOR

NPN POWER SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/537

Microsemi

美高森美

NPN POWER SILICON TRANSISTOR

NPN POWER SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/538

Microsemi

美高森美

NPN POWER SILICON TRANSISTOR

NPN POWER SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/538

Microsemi

美高森美

Devices

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NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

封装/外壳:TO-211MA,TO-210AC,TO-61-4,接线柱 包装:散装 描述:POWER BJT 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

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封装/外壳:TO-211MA,TO-210AC,TO-61-4,接线柱 包装:散装 描述:POWER BJT 分立半导体产品 晶闸管 - SCR

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NPN Silicon Power 300V to 400V, 15A

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微芯科技

2N669产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2N669

  • 制造商

    Motorola

  • 功能描述

    _

更新时间:2025-12-25 11:20:00
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